[實用新型]一種半導體激光器耦合裝置有效
| 申請號: | 202022971042.3 | 申請日: | 2020-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN214174685U | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 趙景峰 | 申請(專利權)人: | 武漢森普拓光電有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/42 | 分類號: | G02B6/42 |
| 代理公司: | 湖北天領艾匹律師事務所 42252 | 代理人: | 楊建軍 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區光*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體激光器 耦合 裝置 | ||
本實用新型涉及一種半導體激光器耦合裝置,包括基座,蓋板,連接塊,所述蓋板固定連接在所述基座的頂部,所述連接塊固定連接在所述基座的左側,所述基座內部固定設置有半導體激光器,所述連接塊上固定連接光纖限位塊,所述光纖限位塊的內部長度方向上設置有光纖凹槽,所述光纖凹槽用于固定光纖,所述光纖限位塊的一端依次貫穿連接塊、基座且與所述的半導體激光器左側發光面耦合。所述光纖凹槽中延伸出來的光纖穿過所述固定塊內部,且所述固定塊內部填滿紫外膠將光纖固定。本實用新型中,半導體激光器所有發光點一次耦合完成,簡單實用,耦合調整容易,效率高;同時,工藝簡化,封裝難度降低。
技術領域
本實用新型屬于半導體激光器技術領域,具體涉及一種半導體激光器耦合裝置。
背景技術
半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。各類激光器的激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體二極管激光器是最實用最重要的一類激光器,它體積小、壽命長,由于這些優點,半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面得到了廣泛的應用。
在激光應用領域,半導體激光器和光纖耦合,其目的是對半導體激光器輸出的光場進行整形,一定程度上使得入射光場與光纖本征光場分布實現最大程度的匹配吻合。現有的半導體激光器與光纖耦合,每一根光纖需與激光器一個發光點單獨直接耦合,一個激光器需經過十幾次耦合才能完成激光器全部發光點的耦合完成。在這個過程中,每一根光纖耦合都需調整,操作復雜,耗時較多;同時封裝過程中要保證光纖耦合后穩定,操作難度較高。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術的不足,提供一種半導體激光器耦合裝置,解決每一根光纖需與激光器一個發光點單獨直接耦合需要調整、操作復雜、耗時較多、操作難度較高的問題。
為解決上述技術問題,本實用新型是通過如下技術方案來實現的:
一種半導體激光器耦合裝置,包括基座,蓋板,連接塊,所述蓋板固定連接在所述基座的頂部,所述連接塊固定連接在所述基座的左側,所述基座內部固定設置有半導體激光器,所述連接塊上固定連接光纖限位塊,所述光纖限位塊的內部長度方向上設置有光纖凹槽,所述光纖凹槽用于固定光纖,所述光纖限位塊的一端依次貫穿連接塊、基座且與所述的半導體激光器左側發光面耦合。
優選的,所述光纖凹槽彼此之間相互平行。
優選的,所述光纖限位塊的一端與所述的半導體激光器左側發光面不相連、留有間隙,所述間隙長度在10-100微米之間;所述光纖凹槽中的光纖和所述的半導體激光器左側發光面上的發光點一一對應耦合。
更為優選的,所述光纖限位塊一端包括凸部,所述凸部與所述的半導體激光器左側發光面不相連、留有間隙,所述間隙長度在10-100微米之間;所述光纖凹槽中的光纖和所述的半導體激光器左側發光面上的發光點一一對應耦合。
優選的,所述光纖限位塊包括光纖限位上塊和光纖限位下塊,所述光纖限位上塊和所述光纖限位下塊通過螺絲固定連接,所述光纖凹槽設置在光纖限位上塊的底部。
優選的,所述光纖限位塊通過螺絲固定連接在所述連接塊上。
優選的,所述光纖限位塊的左側固定連接固定塊,所述固定塊的內部是中空的。
更為優選的,從所述光纖凹槽中延伸出來的光纖穿過所述固定塊內部,且所述固定塊內部填滿紫外膠將光纖固定。
優選的,所述半導體激光器與所述基座之間放置有一層銦片,且所述半導體激光器與所述基座通過螺絲固定連接。
與現有技術相比,本實用新型具有如下優點:
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