[實(shí)用新型]一種基于三極管的數(shù)字步進(jìn)衰減器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202022961551.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN214125258U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 關(guān)允超;王永利;黃家樂(lè) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 思諾威科技(無(wú)錫)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03H11/24 | 分類(lèi)號(hào): | H03H11/24 |
| 代理公司: | 南京智造力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32382 | 代理人: | 張明明 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 三極管 數(shù)字 步進(jìn) 衰減器 | ||
一種基于三極管的數(shù)字步進(jìn)衰減器,由多個(gè)不同衰減步長(zhǎng)的衰減結(jié)構(gòu)單元級(jí)聯(lián)而成,衰減結(jié)構(gòu)單元包括:橋T型衰減結(jié)構(gòu)單元、Π型衰減結(jié)構(gòu)單元、帶相位補(bǔ)償?shù)臉騎型衰減結(jié)構(gòu)單元、帶相位補(bǔ)償?shù)摩靶退p結(jié)構(gòu)單元,各衰減結(jié)構(gòu)單元的串聯(lián)電路開(kāi)關(guān)或并聯(lián)電路開(kāi)關(guān)均采用偏置電流驅(qū)動(dòng)基極的三極管。采用三級(jí)管作為DSA的開(kāi)關(guān),由于三極管導(dǎo)通阻抗小,可以獲得較小的插損,另外通過(guò)將并聯(lián)三極管集電極接地發(fā)射極接信號(hào)端的方式減小信號(hào)通路寄生電容影響,可以獲得帶寬較寬的特性;在基本DSA拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加補(bǔ)償電感,保持衰減狀態(tài)下相位恒定,通過(guò)改變激勵(lì)三極管的電流的溫度特性可以補(bǔ)償DSA性能隨溫度的變化,保持高低溫下性能相對(duì)穩(wěn)定。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于通信系統(tǒng)中模擬和射頻集成電路技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種基于三極管的數(shù)字步進(jìn)衰減器。
背景技術(shù)
在通信系統(tǒng)中,數(shù)字步進(jìn)衰減器(Digital Step Attenuator,DSA)是用于信號(hào)幅度控制的重要模塊,其原理是通過(guò)改變自身衰減量大小來(lái)調(diào)整信號(hào)放大或衰減的量,因此也被用于波束控制系統(tǒng)中的波束掃描控制。
現(xiàn)有技術(shù)中,DSA采用MOS晶體管做開(kāi)關(guān),或者采用GaAs等工藝的PHEMT電路結(jié)構(gòu)。對(duì)于采用MOS晶體管的DSA而言,其參考狀態(tài)是:串聯(lián)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通、并聯(lián)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí),表現(xiàn)為較小的插損;其衰減狀態(tài)是:串聯(lián)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)、并聯(lián)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí),表現(xiàn)為特定幅度的衰減,這類(lèi)DSA存在插損較大、帶寬較窄、相位隨衰減量不同而無(wú)法保持恒定等缺點(diǎn),另外,高低溫下插損和衰減步進(jìn)波動(dòng)也比較大。
采用MOS晶體管的DSA的缺點(diǎn)的產(chǎn)生原因包括:MOS晶體管導(dǎo)通阻抗較高,因此作為開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)插損較大;在MOS晶體管作為開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)時(shí)源漏寄生電容較大,因此隨工作頻率升高會(huì)惡化插損,限制工作帶寬,另外在參考狀態(tài)和衰減狀態(tài)之間切換時(shí)由于寄生影響還會(huì)導(dǎo)致相位發(fā)生變化;MOS晶體管的導(dǎo)通阻抗和關(guān)斷電容隨溫度變化明顯,導(dǎo)致了高低溫下性能波動(dòng)較大。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是,為了克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足,而提出了一種基于三極管的數(shù)字步進(jìn)衰減器,采用三極管作為DSA的開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)降低插損、提高工作帶寬、降低相位波動(dòng)以及減小高低溫下的性能波動(dòng)。
本實(shí)用新型提出如下技術(shù)方案。
一種基于三極管的數(shù)字步進(jìn)衰減器,由多個(gè)不同衰減步長(zhǎng)的衰減結(jié)構(gòu)單元級(jí)聯(lián)而成,衰減結(jié)構(gòu)單元包括:橋T型衰減結(jié)構(gòu)單元、Π型衰減結(jié)構(gòu)單元、帶相位補(bǔ)償?shù)臉騎型衰減結(jié)構(gòu)單元、帶相位補(bǔ)償?shù)摩靶退p結(jié)構(gòu)單元;
橋T型衰減結(jié)構(gòu)單元的串聯(lián)支路開(kāi)關(guān)和并聯(lián)支路開(kāi)關(guān)均采用三極管,其中,并聯(lián)支路三極管的發(fā)射極經(jīng)電阻與信號(hào)傳輸線(xiàn)連接、且集電極接地;
Π型衰減結(jié)構(gòu)單元的串聯(lián)支路開(kāi)關(guān)、第一并聯(lián)支路開(kāi)關(guān)和第二并聯(lián)支路開(kāi)關(guān)均采用三極管,其中,第一并聯(lián)支路三極管和第二并聯(lián)支路三極管的發(fā)射極分別經(jīng)電阻與信號(hào)傳輸線(xiàn)的兩端連接,且集電極均接地;
帶相位補(bǔ)償?shù)臉騎型衰減結(jié)構(gòu)單元的串聯(lián)支路開(kāi)關(guān)和并聯(lián)支路開(kāi)關(guān)均采用三極管,其中,并聯(lián)支路三極管的發(fā)射極經(jīng)電阻與信號(hào)傳輸線(xiàn)連接、且集電極接地,采用基本儲(chǔ)能元件作為相位補(bǔ)償器件;
帶相位補(bǔ)償?shù)摩靶退p結(jié)構(gòu)單元的串聯(lián)支路開(kāi)關(guān)、第一并聯(lián)支路開(kāi)關(guān)和第二并聯(lián)支路開(kāi)關(guān)均采用三極管,其中,第一并聯(lián)支路三極管和第二并聯(lián)支路三極管的發(fā)射極分別經(jīng)電阻與信號(hào)傳輸線(xiàn)的兩端連接,且集電極均接地,采用基本儲(chǔ)能元件作為相位補(bǔ)償器件。
優(yōu)選地,
橋T型衰減結(jié)構(gòu)單元包括:第一電阻、第二電阻、第一傳輸線(xiàn)阻抗、第二傳輸線(xiàn)阻抗、第一三極管、第二三極管;
信號(hào)輸入端與第一傳輸線(xiàn)阻抗的一端、第一電阻的一端以及第一三極管的發(fā)射極連接;第一傳輸線(xiàn)阻抗的另一端與第二傳輸線(xiàn)阻抗的一端、第二電阻的一端連接;第二傳輸線(xiàn)阻抗的另一端、第一電阻的另一端以及第一三極管的集電極與信號(hào)輸出端連接;第二電阻的另一端與第二三極管的發(fā)射極連接、第二三極管的集電極接地。
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