[實用新型]一種基于GaN外延片結構有效
| 申請號： | 202022945293.4 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN214378484U | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發明（設計）人： | 何畏;賀祥;林士修;黃昶源;吳質樸 | 申請（專利權）人： | 江門市奧倫德光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/12 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 梁國平 |
| 地址： | 529000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 gan 外延 結構 | ||
1.一種基于GaN外延片結構，其特征在于，包括：
襯底層，所述襯底層由SiC材料制成；
緩沖層，所述緩沖層與所述襯底層連接；
N型半導體層，所述N型半導體層與所述緩沖層連接，所述N型半導體層由GaN材料制成；
量子阱層，所述量子阱層與所述N型半導體層連接，所述量子阱層由InGaN和GaN材料制成；
P型半導體層，所述P型半導體層與所述量子阱層連接，所述P型半導體層由GaN材料制成；
ITO層，所述ITO層與所述P型半導體層連接。
2.根據權利要求1所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，還包括AU納米粒子薄膜，所述AU納米粒子薄膜設置于所述P型半導體層和所述ITO層之間。
3.根據權利要求1所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，所述N型半導體層包括無摻雜的N-GaN層和有摻雜的u-GaN層，所述緩沖層、所述u-GaN層、所述N-GaN層和所述量子阱層依次連接。
4.根據權利要求3所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，還包括P電極和N電極，所述P電極從所述ITO層的一端引出，所述N電極從所述N-GaN層的下端引出。
5.根據權利要求1所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，所述P型半導體層的厚度設置在300至500nm之間。
6.根據權利要求1所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，所述量子阱層的厚度設置在200至400nm之間。
7.根據權利要求3所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，所述N-GaN層和所述u-GaN層的厚度均設置在300至500nm之間。
8.根據權利要求1所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，所述緩沖層的厚度設置在250至450nm之間。
9.根據權利要求1所述的基于GaN外延片結構，其特征在于，所述襯底層的厚度設置在400至500nm之間。
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