[實用新型]一種射頻功率放大器的偏置結構有效
| 申請號： | 202022944656.2 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN213846619U | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 胡建飛;諸小勝;王鎮;王永利;尹海峰;曹靜雯 | 申請（專利權）人： | 思諾威科技（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/20 | 分類號： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 南京智造力知識產權代理有限公司 32382 | 代理人： | 張明明 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 功率放大器 偏置 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種射頻功率放大器的偏置結構，包括放大管、偏置電路、直流供電電源、輸入匹配網絡和輸出匹配網絡，其特征在于，
所述射頻功率放大器的偏置結構還包括一個電感，電感的一端與偏置電路連接，電感的另一端同時與輸入匹配網絡的輸出端、放大管的基極相連接。
2.根據權利要求1所述的射頻功率放大器的偏置結構，其特征在于，
所述放大管是雙極型晶體管。
3.根據權利要求1所述的射頻功率放大器的偏置結構，其特征在于，
所述電感的電感值L50pH。
4.根據權利要求1所述的射頻功率放大器的偏置結構，其特征在于，
所述電感的寄生電阻阻值R10Ω。
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