[實(shí)用新型]具有超結(jié)晶體管機(jī)構(gòu)的集成電路系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022926608.0
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN214313214U
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇毅
• 申請（專利權(quán)）人: 南京紫竹微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種集成電路系統(tǒng)，其特征在于，包括：

分立柵極超結(jié)單元，其包含：

高度摻雜襯底，其包含第一極性；

包含所述第一極性的外延層，其在所述經(jīng)高度摻雜襯底上生長；

在所述外延層中的條形柵極溝槽；

在所述條形柵極溝槽中的條形柵極多晶硅層；

包含第二極性的主體植入物，其鄰近與所述條形柵極多晶硅層相對的所述條形柵極溝槽；以及

包含所述第二極性的導(dǎo)電列，其在所述主體植入物的中心中并且延伸到所述外延層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述外延層中的所述條形柵極溝槽在所述條形柵極溝槽的內(nèi)部上包含內(nèi)襯氧化物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，包括通過所述條形柵極溝槽中的分立多晶硅層的條形分立柵極結(jié)構(gòu)，其中所述條形柵極多晶硅層在所述分立多晶硅層上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，包括在點(diǎn)主體植入物上并且在有源區(qū)中在所述導(dǎo)電列上方居中的條形源極接觸植入物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，包括在所述條形柵極多晶硅層上并且在所述主體植入物上方的氧化物覆蓋層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述條形柵極溝槽包含1.0μm的深度和0.45μm+/-0.2μm的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，基于30V擊穿電壓，所述導(dǎo)電列包含2.0μm的列深度和0.5μm的列寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)電列處于列溝槽中且由包含所述第二極性的列外延層填充。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在于，包括在氧化物覆蓋層上并且穿過所述氧化物覆蓋層中的蝕刻溝的源極金屬。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，包括有源區(qū)和終端區(qū)，其中所述終端區(qū)包含具有環(huán)繞所述有源區(qū)的浮動(dòng)溝槽的隔離空間。