[實用新型]一種用于激光測距的低成本APD高壓電路

有效

• 申請號: 202022921823.1
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN214101183U
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 彭玉剛
• 申請（專利權）人: 彭玉剛
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156;G01B11/02
• 代理公司: 北京八月瓜知識產權代理有限公司 11543
• 代理人: 李斌

本實用新型公開了一種用于激光測距的低成本APD高壓電路，包括控制IC、開關管Q1、電感L1、電容C0、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、輸入電壓及HV?RX信號端。有益效果：本實用新型相對于普通的升壓電路增加的成本可以忽略不計，且電路簡潔，總體滿足成本及空間限制的要求，通過滿足最佳APD內增益所需的偏置高壓要求，從而提升了激光測距產品測距的性能。

技術領域

本實用新型涉及用于激光測距的電子電源領域，具體來說，涉及一種用于激光測距的低成本APD高壓電路。

背景技術

在便攜式激光測距設備/工具中，由于采用電池供電及空間的限制，要求 APD偏置高壓電路簡潔占用空間較小，而激光接收放大模塊要得到較高的信噪比，就要求APD的偏置電壓很高，例如AD500-9的最佳偏置高壓為180V，但現有的DC-DC芯片由于占空比的限制，如果采用普通升壓結構，如果5V 輸入，最多得到100V的輸出，而一些在常規升壓電路原理的基礎上再采用變壓器升壓雖然能得到100V以上的輸出高壓，但變壓器體積大且導致成本增加，在便攜式激光測距設備/工具中沒有實際應用意義，這樣現在的激光測距APD 高壓電路方案中不得以采用APD的偏置高壓為100V以下，這樣是犧牲信噪比，從而犧牲測量距離的重大性能指標。

針對相關技術中的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

實用新型內容

針對相關技術中的問題，本實用新型提出一種用于激光測距的低成本 APD高壓電路，以克服現有相關技術所存在的上述技術問題。

為此，本實用新型采用的具體技術方案如下：

一種用于激光測距的低成本APD高壓電路，包括控制IC、開關管Q1、電感L1、電容C0、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、二極管 D1、二極管D2、二極管D3、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、輸入電壓及HV-RX信號端；所述控制IC的第二端依次與所述控制IC的第三端、所述電感L1的一端、所述電容C1的一端、所述電容C0的一端及輸入電壓連接，所述電容C0的另一端依次與所述電容C1的另一端及所述控制IC的第四端連接并接地，所述控制IC的第五端與所述電阻R1的一端連接，所述電阻R1的另一端依次與所述電阻R2的一端及所述開關管Q1的柵極連接，所述電阻R2 的另一端與所述開關管Q1的源極連接并接地，所述開關管Q1的漏極依次與所述電感L1的另一端、所述二極管D1的正極及所述電容C3的一端連接，所述二極管D1的負極依次與所述電容C2的一端及所述二極管D2的正極連接，所述電容C2的另一端接地，所述二極管D2的負極依次與所述電容C3的另一端及所述二極管D3的正極連接，所述二極管D3的負極依次與所述電容C4 的一端、所述電容C5的一端、所述電阻R3的一端及HV-RX信號端連接，所述電容C4的另一端與所述電容C5的另一端連接并接地，所述電阻R3的另一端依次與所述電阻R4的一端及所述控制IC的第一端連接，所述電阻R4的另一端接地。

進一步的，所述控制IC設置為PWM升壓控制IC。

進一步的，所述開關管Q1設置為NMOS場效應晶體管。

進一步的，所述二極管D1、所述二極管D2及所述二極管D3均設置為肖特基二極管。

進一步的，所述電容C0及所述電容C1均設置為輸入濾波電容，所述電容C4及所述電容C5均設置為輸出濾波電容。

本實用新型的有益效果為：本實用新型在普通DC-DC芯片基礎上采用倍壓原理得到200V以內的輸出高壓，由于采用的倍壓電路方案相對于普通的升壓電路只增加了2個小貼片電容與2個貼片二極管，增加的成本可以忽略不計，且電路簡潔，總體滿足成本及空間限制的要求，通過滿足最佳APD偏置高壓要求，從而提升了激光測距產品測距的性能。

附圖說明