[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022883127.6 | 申請日: | 2020-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN213889548U | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁祥龍;劉園;武衛(wèi);劉建偉;由佰玲;孫晨光;王彥君;常雪巖;裴坤羽;祝斌;劉姣龍;張宏杰;謝艷;楊春雪;劉秒;呂瑩;徐榮清 | 申請(專利權(quán))人: | 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司;中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/34 | 分類號: | B24B37/34 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 硅片 拋光 用上 暫存 機(jī)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,包括若干相鄰而設(shè)的上載裝置,所述上載裝置具有:
用于支撐所述硅片的上載支撐組件;
和用于浸潤所述硅片待拋光面的上載溢流組件;
其中,所述上載支撐組件與所述硅片側(cè)壁接觸并使所述硅片懸空設(shè)置,且所述上載支撐組件可沿其高度方向上下移動;
所述上載溢流組件被置于所述上載支撐組件內(nèi)并與所述上載支撐組件同心設(shè)置,所述上載溢流組件與所述硅片待拋光面全接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,所述上載支撐組件包括:
若干上載柱;
和用于固定并帶動所述上載柱升降的上載移動臺;
其中,所述上載柱沿所述上載溢流組件外周緣設(shè)置,連接所述上載柱獲得的圖形內(nèi)接于所述硅片的直徑圓;
所述上載移動臺位于所述上載溢流組件的下方,且其至所述上載溢流組件之間具有一定間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,所述上載柱為T型結(jié)構(gòu),其下端面沿所述上載移動臺圓周均勻設(shè)置,其上端面設(shè)有一圓弧形凸臺,所述硅片側(cè)壁面與所述圓弧形凸臺接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,所述上載柱的高度大于所述上載溢流組件的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,所述上載支撐組件還包括用于驅(qū)動所述上載移動臺移動的上載驅(qū)動源,所述上載驅(qū)動源位于所述上載移動臺下方,并與所述上載溢流組件同軸設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3、5任一項(xiàng)所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,所述上載溢流組件包括:
固設(shè)于所述上載支撐組件上的上載盤;
置于所述上載盤上且可以吸排溶液的彈性墊;
以及依次貫穿所述上載盤和所述彈性墊的上載溢流孔;
其中,所述彈性墊遠(yuǎn)離所述上載盤一側(cè)設(shè)有若干的環(huán)形毛刷;所述上載溢流孔分布在所述毛刷間隙內(nèi)設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,在所述彈性墊中包括至少兩個若干環(huán)形所述毛刷形成的毛刷組,相鄰所述毛刷組之間設(shè)有環(huán)形間隙通道。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,置于內(nèi)側(cè)的所述毛刷組中的所述毛刷數(shù)量不小于置于內(nèi)側(cè)的所述毛刷組中所述毛刷數(shù)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,至少在所述上載盤圓心處設(shè)有所述上載溢流孔;其它所述上載溢流孔沿所述上載盤圓心逐步向遠(yuǎn)離圓心一側(cè)多層輻射分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種半導(dǎo)體硅片拋光用上載暫存機(jī)構(gòu),其特征在于,沿所述上載盤圓心逐步向遠(yuǎn)離圓心一側(cè)多層輻射分布的所述上載溢流孔所形成的圖形為若干同心圓;且所述上載溢流孔均沿其所在圓的圓周均勻分布。
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