[實用新型]高增益低噪聲放大器電路及矢量網絡分析裝置

有效

• 申請號: 202022876865.8
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN214256247U
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 侯藝偉;林科闖;劉勝厚;盧益鋒;蔡仙清;張輝
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種高增益低噪聲放大器電路及矢量網絡分析裝置，包括放大單元，所述放大單元包括依次電連接的第一低噪聲放大器、第一PI型衰減網絡單元、第二低噪聲放大器、第二PI型衰減網絡單元，所述第一PI型衰減網絡單元由第一電阻、第二電阻、第三電阻構成；所述第二PI型衰減網絡單元由第四電阻、第五電阻、第六電阻構成；所述矢量網絡分析裝置包括所述高增益低噪聲放大器電路串聯至矢量網絡分析儀回路中。本實用新型的高增益低噪聲放大器電路解決了微波無源組件的指標測試中所面臨的高指標測試要求與測試時間成本之間的問題，即在不降低系統網絡分析儀掃頻速度的前提下，實現高指標要求的測量。

技術領域

本實用新型涉及射頻微波領域，特別涉及一種高增益低噪聲放大器電路及應用該電路的矢量網絡分析裝置。

背景技術

微波無源組件(雙工器，合路器)等產品通常需要測試帶外抑制指標，而且帶外抑制一般要求小于-100dB,更有甚者指標要求小于-110dB，如此對測試設備(矢量網絡分析儀)提出了更高的要求，業界傳統的方法是是通過降低中頻濾波器的帶寬(IF)，來降低測試設備(矢量網絡分析儀)的底噪，從而滿足高指標測試的需要，但降低中頻帶寬來獲得更低的底噪的同時會降低掃頻速度，即增大了測試時間，不利于量產測試。

實用新型內容

本實用新型的目的在于針對現有技術問題，提供本實用新型提出一種高增益低噪聲放大器電路以解決微波無源組件的指標測試中所面臨的高指標測試要求與測試時間成本之間的問題，即在不降低系統測試速度的前提下，實現高指標要求的測量。具體實現方式如下：

一種高增益低噪聲放大器電路，包括放大單元(100)，所述放大單元(100)包括依次電連接的第一低噪聲放大器(LNA1)、第一PI型衰減網絡單元(10)、第二低噪聲放大器(LNA2)、第二PI型衰減網絡單元(20)；

所述第一低噪聲放大器(LNA1)的輸入端作為放大單元(100)的輸入端；所述第二PI 型衰減網絡單元(20)的輸出端作為放大單元(100)的輸出端；

所述第一PI型衰減網絡單元(10)由第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)構成；所述第一電阻(R1)的一端作為第一PI型衰減網絡單元(10)的輸入端，另一端作為第一PI型衰減網絡單元(10)的輸出端；所述第二電阻(R2)的一端連接至第一電阻(R1) 的一端，另一端接地；所述第三電阻(R3)的一端連接至第一電阻(R1)的另一端，另一端接地；

所述第二PI型衰減網絡單元(20)由第四電阻(R4)、第五電阻(R5)、第六電阻(R6)構成；所述第四電阻(R4)的一端作為第二PI型衰減網絡單元(20)的輸入端，另一端作為第二PI型衰減網絡單元(20)的輸出端；所述第五電阻(R5)的一端連接至第四電阻(R4) 的一端，另一端接地；所述第六電阻(R6)的一端連接至第四電阻(R4)的另一端，另一端接地。

進一步地，高增益低噪聲放大器電路在所述第一PI型衰減網絡單元(10)與第二低噪聲放大器(LNA2)之間還設有金屬屏蔽結構(30)。所述金屬屏蔽結構將第一低噪聲放大器(LNA1)、第一PI型衰減網絡單元(10)封閉在一金屬屏蔽結構中，將所述金屬屏蔽結構將第二低噪聲放大器(LNA2)、第二PI型衰減網絡單元(20)封閉在一金屬屏蔽結構中。

作為優選的，本實用新型的金屬屏蔽結構(30)由鋁塊結構件構成。