[實(shí)用新型]一種兩懸梁MEMS陣列式陶瓷懸梁微熱板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202022854811.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN214192568U | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 井華;谷文;陳紅林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州麥茂思傳感技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | B81B7/02 | 分類號(hào): | B81B7/02;B81B7/00;H05B3/14;H05B3/18 |
| 代理公司: | 常州品益專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32401 | 代理人: | 侯慧娜 |
| 地址: | 215168 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 懸梁 mems 陣列 陶瓷 微熱板 | ||
本實(shí)用新型涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種兩懸梁MEMS陣列式陶瓷懸梁微熱板。包括單晶硅襯底、陶瓷懸梁層、加熱層及其電極端、絕緣層、測(cè)試層及其電極端,陶瓷懸梁層,通過印刷、烘干、煅燒在所述單晶硅襯底上,陶瓷懸梁層中間印刷為陣列式I形支撐懸梁,I形支撐懸梁的中心交叉部形成功能區(qū),陣列式的每個(gè)功能區(qū)用于制備加熱層、絕緣層和測(cè)試層,后期再測(cè)試層上涂覆敏感材料,即可形成多個(gè)功能模塊。本實(shí)用新型通過陣列式,實(shí)現(xiàn)混合氣體的檢測(cè),并且采用具有更低導(dǎo)熱系數(shù)和更堅(jiān)硬的陶瓷材料作為MEMS微熱板的懸梁結(jié)構(gòu),比傳統(tǒng)的開隔熱槽單晶硅懸梁微熱板而言,隔熱效果顯著,整體結(jié)構(gòu)更可靠,而且通過陶瓷懸梁有效能夠降低自身功耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種兩懸梁MEMS陣列式陶瓷懸梁微熱板。
背景技術(shù)
隨著MEMS技術(shù)和微電子技術(shù)的不斷發(fā)展,微熱板因?yàn)槠潢嚵谢谱鞴に嚒Ⅲw積小,功耗低并且易于其他材料結(jié)合的巨大優(yōu)勢(shì)得到廣泛應(yīng)用,比如微型氣體傳感器,微加速計(jì)、微氣壓計(jì)以及薄膜量熱卡計(jì)等。其中微熱板在微型氣體傳感器的應(yīng)用中占比最大。并且隨時(shí)市場(chǎng)的需求,陣列式的微熱板因其能夠?qū)崿F(xiàn)混合氣體的檢測(cè)而廣受喜愛。
但是,這些微熱板和陣列微熱板的研究方向中,大多數(shù)為懸膜式微熱板,因?yàn)閼夷な轿岚宓木哂休^低的熱損而備受追崇。然而懸膜式微熱板在使用過程中,因?yàn)殚L(zhǎng)期的通電斷電導(dǎo)致的熱脹冷縮會(huì)將懸膜結(jié)構(gòu)變得翹曲不平,從而引起很多不利影響,比如說加熱絲阻值變化,氣體傳感器使用中敏感材料的脫落等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種采用陶瓷為懸梁結(jié)構(gòu)的兩懸梁MEMS陣列式陶瓷懸梁微熱板。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
一種兩懸梁MEMS陣列式陶瓷懸梁微熱板,包括單晶硅襯底;
陶瓷懸梁層,通過印刷、烘干、煅燒在所述單晶硅襯底上,所述陶瓷懸梁層中間印刷為陣列式I形支撐懸梁,所述I形支撐懸梁的中心交叉部形成功能區(qū);
加熱層及其電極端,沉積在所述陶瓷懸梁層上,所述加熱層沉積在所述功能區(qū)上,所述電極端沉積在所述I形支撐懸梁外的所述陶瓷懸梁層上,所述電極端上下布置分別形成正負(fù)電極端,相鄰兩個(gè)功能區(qū)或多個(gè)功能區(qū)上的所述加熱層單獨(dú)使用一個(gè)所述正負(fù)電極端;
絕緣層,通過氣相沉積法沉積在所述加熱層上,覆蓋所述I形支撐懸梁或者覆蓋除所述加熱層電極端外的陶瓷懸梁層上;
測(cè)試層及其電極端,所述測(cè)試層沉積在所述功能區(qū)處的所述絕緣層上,所述測(cè)試層電極端沉積在所述I形支撐懸梁外的所述陶瓷懸梁層上或者所述I形支撐懸梁外的所述絕緣層上,所述測(cè)試層電極端上下布置,所述相鄰兩個(gè)功能區(qū)上的所述測(cè)試層均單獨(dú)使用一個(gè)正負(fù)電極端;
所述單晶硅襯底位于所述陣列式I形支撐懸梁處刻穿成空腔,使所述陣列式 I形支撐懸梁懸空構(gòu)成陶瓷懸梁架。
進(jìn)一步地,所述陶瓷懸梁層的厚度為50μm-800μm。
進(jìn)一步地,所述加熱層的厚度為50nm-500nm。
進(jìn)一步地,所述絕緣層的厚度為100nm-800nm。
進(jìn)一步度,所述測(cè)試層為叉齒電極,其厚度為50nm-500nm。
優(yōu)選的,所述陣列I形支撐懸梁印刷為兩組。
進(jìn)一步地,所述絕緣層覆蓋除所述加熱層電極端外的陶瓷懸梁層上
本發(fā)明的有益效果是:
1.通過陣列式,實(shí)現(xiàn)混合氣體的檢測(cè),并且采用具有更低導(dǎo)熱系數(shù)和更堅(jiān)硬的陶瓷材料作為MEMS微熱板的懸梁結(jié)構(gòu),比傳統(tǒng)的開隔熱槽單晶硅懸梁微熱板而言,隔熱效果顯著,整體結(jié)構(gòu)更可靠,而且通過陶瓷懸梁有效能夠降低自身功耗。
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