[實用新型]一種新型鏤空擋桿結構的半成品電池片載體

有效

• 申請號: 202022852098.7
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN213519901U
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 張望望;陳實;樹式;夏利鵬;吳圣;李干;陳經緯
• 申請（專利權）人: 江蘇龍恒新能源有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種新型鏤空擋桿結構的半成品電池片載體，具體涉及半成品電池片載體技術領域，其技術方案是：包括載體，所述載體包括支撐桿、空心擋桿一和空心擋桿二，所述空心擋桿一內壁圓周均勻開設有通孔一，所述空心擋桿一頂部均勻固定安裝卡齒，所述卡齒設置為空心，所述空心擋桿二內壁圓周均勻開設有通孔二，所述空心擋桿二外壁兩端固定安裝升降板；所述支撐桿內壁開設有升降槽，所述支撐桿頂端內壁螺紋連接螺柱，所述螺柱底端穿過所述升降槽延伸至升降孔內壁，所述螺柱一端插接在軸承內壁，本實用新型的有益效果是：不僅具有改善硅片和載體表面的烘干效果，還減少了半成品電池片的外觀不良。

技術領域

本實用新型涉及半成品電池片載體領域，具體涉及一種新型鏤空擋桿結構的半成品電池片載體。

背景技術

熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成三維空間長程有序的形式成為單晶硅，單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性，超純的單晶硅是本征半導體，在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體，如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體，單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅，單晶硅主要用于制作半導體元件，而單晶硅片是硅的單晶體，是具有基本完整的點陣結構的晶體，單晶硅片在制絨和堿拋工藝中，載體需要承載硅片在化學品和純水中進行多次化學反應和水洗。

現有技術存在以下不足：現有的載體所用的檔桿結構和卡齒結構均是實心結構，與硅片接觸貼合的部分導致硅片和載體上殘留有不少的化學品液體，從而影響到最后的烘干效果，導致硅片本身的外觀不良，從而影響到成品電池片的效率和良率。

因此，發明一種新型鏤空擋桿結構的半成品電池片載體很有必要。

實用新型內容

為此，本實用新型提供一種新型鏤空擋桿結構的半成品電池片載體，通過將檔桿結構設置成空心，并且在檔桿結構上均勻開設有通孔，以及再通過將卡齒結構設置成空心，以解決現有的載體所用的檔桿結構和卡齒結構均是實心結構的問題。

為了實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種新型鏤空擋桿結構的半成品電池片載體，包括載體，所述載體包括支撐桿、空心擋桿一和空心擋桿二，所述空心擋桿一內壁圓周均勻開設有通孔一，所述空心擋桿一頂部均勻固定安裝卡齒，所述卡齒設置為空心，所述空心擋桿二內壁圓周均勻開設有通孔二，所述空心擋桿二外壁兩端固定安裝升降板；

所述支撐桿內壁開設有升降槽，所述支撐桿頂端內壁螺紋連接螺柱，所述螺柱底端穿過所述升降槽延伸至升降孔內壁，所述螺柱一端插接在軸承內壁，所述升降板內壁插接所述軸承，所述升降孔頂端內壁固定安裝螺母，所述螺柱底端螺紋連接在所述螺母內壁。

優選的，所述支撐桿共有兩組。

優選的，所述支撐桿底端內壁開設有升降孔。

優選的，所述升降槽底端連接所述升降孔。

優選的，所述螺柱頂部固定安裝梅花轉板。

優選的，所述支撐桿底部固定安裝所述空心擋桿一。

本實用新型的有益效果是：