[實用新型]一種刻蝕水洗裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022843477.X | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN213752638U | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳沖;楊曉君;仲偉佳;任現坤;宋超;曹振;葛永見;郭瑞靜;韓其家;張洪巖 | 申請(專利權)人: | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人: | 于曉曉 |
| 地址: | 250103 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 刻蝕 水洗 裝置 | ||
1.一種刻蝕水洗裝置,其特征在于,所述刻蝕水洗裝置包括刻蝕裝置、水洗裝置、輸送裝置(13)和控制器,所述刻蝕裝置包括第一刻蝕組件(1)和第二刻蝕組件(2),所述第一刻蝕組件(1)包括若干激光發(fā)生器(4),所述第二刻蝕組件(2)包括若干激光發(fā)生器(4);
所述水洗裝置包括對應設置的噴頭和水槽,所述噴頭包括酸洗噴頭(6)和水洗噴頭(8),所述水槽包括酸洗槽(7)和水洗槽(9);
所述輸送裝置(13)包括刻蝕輸送輥組、旋轉吸取器(3)和水洗輸送輥組,所述第一刻蝕組件(1)和第二刻蝕組件(2)沿硅片(5)前進方向依次設置在刻蝕輸送輥組上,所述旋轉吸取器(3)設置在第一刻蝕組件(1)和第二刻蝕組件(2)之間,所述水洗輸送輥組設置在所述水槽上方、所述噴頭下方;
所述刻蝕裝置、水洗裝置和輸送裝置(13)分別與控制器電連接。
2.如權利要求1所述的刻蝕水洗裝置,其特征在于,所述第一刻蝕組件(1)、第二刻蝕組件(2)均包括若干組激光發(fā)生器組,每組所述激光發(fā)生器組包括兩個相對設置的激光發(fā)生器(4),每組激光發(fā)生器組的兩個激光發(fā)生器(4)之間的空間用于放置硅片(5)。
3.如權利要求1所述的刻蝕水洗裝置,其特征在于,所述酸洗噴頭(6)和酸洗槽(7)之間通過酸洗循環(huán)管和泵連通,所述水洗噴頭(8)和水洗槽(9)之間通過水洗循環(huán)管和泵連通。
4.如權利要求1所述的刻蝕水洗裝置,其特征在于,所述旋轉吸取器(3)包括液壓桿(10)和負壓裝置,所述液壓桿(10)底部連接有旋轉驅動件(11),所述旋轉驅動件(11)底部安裝有吸附板(12),所述吸附板(12)具有開口朝下的真空腔,所述真空腔通過氣管與負壓裝置連通。
5.如權利要求4所述的刻蝕水洗裝置,其特征在于,所述旋轉驅動件(11)為步進電機。
6.如權利要求4所述的刻蝕水洗裝置,其特征在于,所述真空腔與氣管連接處設置有電磁閥。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





