[實用新型]一種鋁硅殼體專用除氫裝置

有效

• 申請號: 202022822974.1
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN213924925U
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 劉露;公偉;顏景玉
• 申請（專利權）人: 南京友喬電子科技有限公司
• 主分類號: C21D3/06
• 分類號: C21D3/06;C21D3/10
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 姜曉鈺

本實用新型涉及鋁硅材料制造技術領域，尤其是一種鋁硅殼體專用除氫裝置，包括加熱爐體、除氫腔體、真空系統和水冷系統，所述除氫腔體設置在加熱爐體內部，所述加熱爐體根據預設溫控曲線對除氫腔體進行加熱，所述真空系統與除氫腔體連通，所述真空系統對除氫腔體抽真空，所述水冷系統的水冷管道包裹除氫腔體，所述水冷系統對除氫腔體進行降溫，本實用新型可以解決現有的除氫方式存在二次污染問題以及能耗高等問題。

技術領域

本實用新型涉及鋁硅材料制造技術領域，具體領域為一種鋁硅殼體專用除氫裝置。

背景技術

由于極低的溫度膨脹系數，鋁硅材料廣泛應用于有源相控陣雷達的T/R組件殼體當中。但是由于鋁硅殼體在加工過程中，需要鍍金工藝，以保證芯片在殼體內部焊接的可靠性。鋁硅殼體在電鍍過程中，會吸附有氫分子，容易造成焊接引腳的氫脆現象，使結構可靠性降低，同時封裝后的T/R組件芯片，容易因為氫氣的滲入，腐蝕芯片，造成芯片失效。因此，鋁硅殼體在機械加工完成后，激光封焊前要進行除氫處理，以提高T/R組件的可靠性。

目前，金屬電鍍后除氫主要有空氣中直接加熱除氫、放置到煤油中加熱除氫等，主要適用于要求不高的場合。

傳統的除氫方式存在二次污染問題，不能用來制造用于航空航天等領域的高標準器件，另外傳統的除氫方式除氫效率低，能耗高，經濟成本及環境成本都很高

實用新型內容

本實用新型的目的在于一種鋁硅殼體專用除氫裝置，以解決現有的除氫方式存在二次污染問題以及能耗高等問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種鋁硅殼體專用除氫裝置，包括加熱爐體、除氫腔體、真空系統和水冷系統，所述除氫腔體設置在加熱爐體內部，所述加熱爐體根據預設溫控曲線對除氫腔體進行加熱，所述真空系統與除氫腔體連通，所述真空系統對除氫腔體抽真空，所述水冷系統的水冷管道包裹除氫腔體，所述水冷系統對除氫腔體進行降溫。

優選的，所述水冷系統包括水冷機和水冷管道，所述水冷管道包括總進水管、總出水管、多路分進水管和多路分出水管，冷卻水由總進水管經過各分進水管進入到爐殼、爐門以及除氫腔體，再經各分路出水管匯集至總出水管排出。

優選的，所述除氫腔體由不銹鋼材料制成。

優選的，所述除氫腔體內部設有分層隔板。

優選的，還包括安全監控系統，所述安全監控系統對除氫腔體內部的溫度以及真空度進行監控，并根據監控的溫度和真空度數據控制加熱爐體、真空系統以及水冷系統。

優選的，所述預設溫控曲線為前5-7分鐘加熱至210℃，保持210℃加熱40-45分鐘，而后兩分鐘內降至30℃。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：本申請采用了真空環境除氫，避免了二次污染，也避免了鋁硅殼體鍍金層高溫氧化；針對鋁硅殼體除氫設計了專用的溫控曲線，既能滿足鋁硅除氫的技術要求，又能節約能耗成本，降低人工成本。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的除氫溫控曲線圖。

圖中：1加熱爐體、2除氫腔體、21分層隔板，3真空系統、4水冷系統。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。