[實用新型]射頻跨接器件

有效

• 申請號: 202022809785.0
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN213366849U
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: P·納多
• 申請（專利權）人: 樓氏卡澤諾維亞公司
• 主分類號: H01R13/02
• 分類號: H01R13/02;H01R13/46;H01R31/06;H05K1/11;H05K1/18
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張志華;王小東

本實用新型涉及射頻跨接器件。一種微波或射頻(RF)跨接器件包括絕緣基板，絕緣基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面。該器件還包括跨接導體，跨接導體設置在第一表面上，在第一表面的第一邊緣和第一表面的第二邊緣之間延伸。該器件還包括在第二表面中的凹陷，凹陷由(i)相對于第二表面凹形的第三表面和(ii)在第二表面和第三表面之間延伸的至少一個側壁部分限定。該器件還包括導電涂層，該導電涂層形成在第二表面的至少一部分、第三表面和至少一個側壁上方，其中，導電涂層通過絕緣基板與跨接導體絕緣。

技術領域

本實用新型涉及射頻跨接器件。

背景技術

微波和射頻(RF)電路可裝入傳輸線的走線，這些傳輸線將集成在基板(諸如印刷電路板)上的RF元件(諸如放大器、混頻器和濾波器)互連。在某些情形下，印刷電路板上的傳輸線路徑可相交，從而導致需要跨接元件。

實用新型內容

在實施方式中，一種RF跨接器件包括絕緣基板，該絕緣基板具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。該跨接器件還包括跨接導體，該跨接導體設置在所述第一表面上，在所述第一表面的第一邊緣和所述第一表面的第二邊緣之間延伸。該跨接器件還包括在所述第二表面中的凹陷，該凹陷由(i)相對于所述第二表面凹進的第三表面和(ii)在所述第二表面和所述第三表面之間延伸的至少一個側壁部分限定。該跨接器件還包括導電涂層，該導電涂層形成在所述第二表面的至少一部分、所述第三表面和所述至少一個側壁上方，所述導電涂層通過絕緣基板與跨接導體絕緣。

在一些實施方式中，所述凹陷在所述絕緣基板的兩個側表面之間延伸。在一些實施方式中，所述凹陷在與所述跨接導體在所述第一表面上延伸的方向正交的方向上延伸。在一些實施方式中，所述跨接器件還包括：第一過渡導體，其與所述跨接導體導電聯接，被設置在所述絕緣基板的第一側表面上；以及第二過渡導體，其與所述跨接導體導電聯接，被設置在所述絕緣基板的第二側表面上。

在一些實施方式中，所述第一過渡導體在所述第一表面的所述第一邊緣和所述第二表面的第一邊緣之間延伸，并且其中，所述第二過渡導體在所述第一表面的所述第二邊緣和所述第二表面的第二邊緣之間延伸。在一些實施方式中，所述絕緣基板的所述第一側表面包括第一凹入區域，并且其中，所述第一過渡導體至少部分地設置在所述第一凹入區域上方。在一些實施方式中，所述跨接器件還包括：第一跨接接觸件，其設置在所述絕緣基板的所述第二表面上并與所述第一過渡導體聯接；第二跨接接觸件，其設置在所述絕緣基板的所述第二表面上并與所述第二過渡導體聯接。在一些實施方式中，所述第一跨接接觸件通過第一跨接隔離區域與所述第二表面上的所述導電涂層分開，并且所述第二跨接接觸件通過第二跨接隔離區域與所述第二表面上的所述導電涂層分開。

在一些實施方式中，所述跨接導體的至少一部分包括傳輸線。在一些實施方式中，所述跨接導體包括設置在所述傳輸線與所述第一表面的所述第一邊緣和所述第二邊緣中的至少一個之間的至少一個阻抗匹配結構。在一些實施方式中，所述跨接導體包括多個金屬層，其中，所述多個金屬層中的至少兩個金屬層的材料不同。在一些實施方式中，所述多個金屬層包括銅、銀、金、鎳或鈦鎢合金中的至少兩種的金屬層。在一些實施方式中，所述導電涂層包括多個金屬層，其中，所述多個金屬層中的至少兩個金屬層的材料不同。在一些實施方式中，所述絕緣基板包含陶瓷材料、玻璃、藍寶石、石英或印刷電路板材料中的至少一種。

在一些實施方式中，一種RF器件包括電路板，該電路板具有第一表面和相對的第二表面。該RF器件還包括設置在所述電路板的所述第一表面上的第一RF導體，該第一RF導體在第一方向上延伸。該RF器件還包括設置在所述電路板的所述第一表面上的第二RF導體，該第二RF導體在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。RF器件還包括接地導體，該接地導體設置在所述電路板的所述第一表面上，所述接地導體與所述第一RF導體和所述第二RF導體電隔離。該RF器件還包括設置在所述電路板上的RF跨接器件。所述絕緣基板的所述第二表面上方的所述導電涂層與所述接地平面接觸。所述第一RF導體在所述絕緣基板的所述第二表面中的所述凹陷下方經過，并且所述第二RF導體與設置在所述絕緣基板的所述第一表面上的所述跨接導體電聯接。