[實(shí)用新型]一種應(yīng)用于電子終端產(chǎn)品的電容式MEMS壓力傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022806319.7
• 申請(qǐng)日: 2020-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN213364087U
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 路溱微電子技術(shù)（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): G01L1/14
• 分類號(hào): G01L1/14
• 代理公司: 蘇州尚為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32483
• 代理人: 李鳳嬌

1.一種應(yīng)用于電子終端產(chǎn)品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：由若干電容單元陣列形成，所述電容單元包括由下至上依次設(shè)置的基底、在基底上重?fù)诫s形成的下極板、氧化硅層、以及采用CMOS薄膜形成的上極板；所述氧化硅層作為犧牲層，形成上極板與下極板之間的電容間隙；所述CMOS薄膜包括下多晶硅層、以及在下多晶硅層上淀積形成的上多晶硅層，所述下多晶硅層上設(shè)置有若干犧牲層釋放孔，所述上多晶硅層使電容間隙形成真空密封；所述下極板及上極板上還通過引線連接有焊盤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于電子終端產(chǎn)品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述上極板端部上端及氧化硅層上端還淀積形成有保護(hù)層，所述保護(hù)層采用多晶硅、氧化硅、氮化硅或其組合制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于電子終端產(chǎn)品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述下極板由P型重?fù)诫s區(qū)域構(gòu)成，其摻雜濃度為2*10¹⁸/cm³～10¹⁹/cm³。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于電子終端產(chǎn)品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述上多晶硅層與下多晶硅層的厚度相同。