[實用新型]一種應用于電子終端產品的電容式MEMS壓力傳感器有效

申請號：	202022806319.7	申請日：	2020-11-27
公開（公告）號：	CN213364087U	公開（公告）日：	2021-06-04
發明（設計）人：	王志	申請（專利權）人：	路溱微電子技術（蘇州）有限公司
主分類號：	G01L1/14	分類號：	G01L1/14
代理公司：	蘇州尚為知識產權代理事務所(普通合伙) 32483	代理人：	李鳳嬌
地址：	215151 江蘇省蘇州市高新***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種應用于電子終端產品電容 mems 壓力傳感器
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【權利要求書】：

1.一種應用于電子終端產品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：由若干電容單元陣列形成，所述電容單元包括由下至上依次設置的基底、在基底上重摻雜形成的下極板、氧化硅層、以及采用CMOS薄膜形成的上極板；所述氧化硅層作為犧牲層，形成上極板與下極板之間的電容間隙；所述CMOS薄膜包括下多晶硅層、以及在下多晶硅層上淀積形成的上多晶硅層，所述下多晶硅層上設置有若干犧牲層釋放孔，所述上多晶硅層使電容間隙形成真空密封；所述下極板及上極板上還通過引線連接有焊盤。

2.根據權利要求1所述的一種應用于電子終端產品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述上極板端部上端及氧化硅層上端還淀積形成有保護層，所述保護層采用多晶硅、氧化硅、氮化硅或其組合制成。

3.根據權利要求1所述的一種應用于電子終端產品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述下極板由P型重摻雜區域構成，其摻雜濃度為2*10¹⁸/cm³～10¹⁹/cm³。

4.根據權利要求1所述的一種應用于電子終端產品的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述上多晶硅層與下多晶硅層的厚度相同。

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