[實用新型]一種用于集成熱敏電阻的場效應管

有效

• 申請號: 202022781161.2
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN213401170U
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 楊寶林
• 申請（專利權）人: 深圳市飛捷士科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/467;H01L25/16;H01L23/34
• 代理公司: 深圳市圳博友邦專利代理事務所(普通合伙) 44600
• 代理人: 王玲玲

本實用新型公開了一種用于集成熱敏電阻的場效應管，涉及半導體器件技術領域。包括封裝體、半導體、PTC熱敏電阻、漏極引腳、柵極引腳、源極引腳及金屬襯底，半導體與PTC熱敏電阻封裝于封裝體中，漏極引腳、柵極引腳及源極引腳的一端依次封裝于封裝體中，封裝體的背面設有嵌槽，金屬襯底嵌裝于嵌槽中，且金屬襯底的一面設有散熱鰭片。該用于集成熱敏電阻的場效應管，串聯了2個PTC熱敏電阻，可以避免場效應管溫度過高的情況，同時嵌有的金屬襯底上設置了散熱鰭片，部分熱量由發熱源傳導到金屬襯底的導熱面上，再由其導熱面傳導到散熱面，即散熱鰭片上，來與空氣進行熱量交換，整體散熱效果更好，延長了場效應管的使用壽命。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件技術領域，具體為一種用于集成熱敏電阻的場效應管。

背景技術

金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，其優勢在于，首先驅動場效應管應用電路電路比較簡單，需要的驅動電流小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動其次開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應，在消費電子、工業產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。

現有的大電流場效應管一般采用TO-220封裝，采用TO-220封裝可以裝載大尺寸的半導體，但半導體在通電后由于大電流而產生高熱量容易導致場效應管溫度不停上升，從而導致場效應管的電參數發生變化，進一步導致場效應管的溫度升高，當溫度上升到一定程度時，場效應管將失效且無法恢復。

實用新型內容

本實用新型提供了一種用于集成熱敏電阻的場效應管，具備整體散熱效果好，避免場效應管溫度過高，延長使用壽命的優點，以解決上述背景技術中存在的問題。

為實現整體散熱效果好，避免場效應管溫度過高，延長使用壽命的目的，本實用新型提供如下技術方案：一種用于集成熱敏電阻的場效應管，包括封裝體、半導體、PTC熱敏電阻、漏極引腳、柵極引腳、源極引腳及金屬襯底，所述半導體與PTC熱敏電阻封裝于封裝體中，所述漏極引腳、柵極引腳及源極引腳的一端依次封裝于封裝體中，所述封裝體的背面設有嵌槽，所述金屬襯底嵌裝于嵌槽中，且金屬襯底的一面設有散熱鰭片。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述封裝體的兩側設有定向槽，且定向槽位于封裝體的上端。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述PTC熱敏電阻外填充有二氧化硅絕緣層，且PTC熱敏電阻位于半導體的柵極與源極上。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述漏極引腳、柵極引腳及源極引腳位于同一中線上，且漏極引腳、柵極引腳及源極引腳的長度相同。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述金屬襯底上開設有定位孔，且定位孔位于封裝體的上方。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述金屬襯底的兩側設有導向缺口，且導向缺口位于金屬襯底的上端。

與現有技術相比，本實用新型提供了一種用于集成熱敏電阻的場效應管，具備以下有益效果：

該用于集成熱敏電阻的場效應管，串聯了2個PTC熱敏電阻，可以避免場效應管溫度過高的情況，同時嵌有的金屬襯底上設置了散熱鰭片，部分熱量由發熱源傳導到金屬襯底的導熱面上，再由其導熱面傳導到散熱面，即散熱鰭片上，來與空氣進行熱量交換，整體散熱效果更好，延長了場效應管的使用壽命。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的側視圖；

圖3為本實用新型的反向視圖。

圖中：1、封裝體；2、半導體；3、PTC熱敏電阻；4、漏極引腳；5、柵極引腳；6、源極引腳；7、金屬襯底；8、嵌槽；9、散熱鰭片；10、定向槽；11、二氧化硅絕緣層；12、定位孔；13、導向缺口。