[實用新型]一種管式鍍膜石墨舟有效
| 申請號: | 202022772569.3 | 申請日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN214012955U | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 黃紀德;劉長明;張昕宇;金浩 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 314416 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鍍膜 石墨 | ||
本實用新型實施例涉及光伏設備技術領域,公開了一種管式鍍膜石墨舟。包括沿第一方向間隔設置的若干石墨舟片,至少一對相鄰的所述石墨舟片間和/或至少一個所述石墨舟片內設有加熱載體。通過設置加熱載體,可以主動精準控制石墨舟片的溫度,使石墨舟片上的溫度分布均勻,解決了現有的石墨舟片由于受外部熱場影響,導致溫度分布不均勻,外側溫度高于內側溫度,石墨舟片的舟尾側溫度高于石墨舟片的舟頭側溫度的問題,使硅片沉積氮化硅速率均勻,氮化硅減反射膜膜色差異性小。
技術領域
本實用新型實施例涉及光伏設備技術領域,特別涉及一種管式鍍膜石墨舟。
背景技術
太陽能硅片的生產加工中有一道工序叫做等離子增強化學氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)鍍膜,其作用是提高硅片的太陽能轉化率。這個工序就用到石墨舟。把硅片放到石墨舟中,通過等離子化學氣相沉積,在硅片表面沉積一層深藍色氮化硅膜。
管式PECVD系統加熱靠爐外壁加熱絲加熱,爐腔內的溫度場分布不均勻,這樣導致硅片沉積氮化硅時沉積速率不一樣,靠近爐壁的沉積速率快,靠近爐管中心的沉積速率慢,氮化硅減反射膜膜色差異性大,色差、返工片偏多,特別是對小管徑管式PECVD的影響更加明顯。
實用新型內容
本實用新型實施例的目的在于提供一種管式鍍膜石墨舟,解決了現有技術中靠爐外壁加熱絲加熱,爐腔內的溫度場分布不均勻,這樣導致硅片沉積氮化硅時沉積速率不一樣的問題。
為解決上述技術問題,本實用新型的實施例提供了一種管式鍍膜石墨舟,包括沿第一方向間隔設置的若干石墨舟片,至少一對相鄰的所述石墨舟片間和/ 或至少一個所述石墨舟片內設有加熱載體。
本實用新型實施例相對于現有技術而言,本實用新型通過設置加熱載體,可以主動精準控制石墨舟片的溫度,使石墨舟片上的溫度分布均勻,解決了現有的石墨舟片由于受外部熱場影響,導致溫度分布不均勻,外側溫度高于內側溫度,石墨舟片的舟尾側溫度高于石墨舟片的舟頭側溫度的問題,使硅片沉積氮化硅速率均勻,氮化硅減反射膜膜色差異性小。
另外,所述加熱載體為電熱絲或電熱片。
另外,所述石墨舟片具有沿舟頭側指向舟尾側的第二方向,所述第二方向垂直于所述第一方向,所述加熱載體沿所述第二方向設置。加熱載體沿著石墨舟片舟頭側指向舟尾側設置,使得加熱過程能夠兼顧舟頭和舟尾,解決了現有外部熱場加熱導致舟尾溫度高于舟頭溫度的問題。
另外,所述加熱載體在所述石墨舟片的第二方向上形成有多個加熱區域??梢酝ㄟ^對不同區域同時或者選擇性加熱,進而調整石墨舟片整體的溫度的精準控制。
另外,至少一個所述石墨舟片包括相互貼合的第一子石墨舟片和第二子石墨舟片,所述加熱載體設于所述第一子石墨舟片和所述第二子石墨舟片間。本實施將石墨舟片設置為第一子石墨舟片、加熱載體、第二子石墨舟片層疊的復合結構,使石墨舟片本身就具備加熱功能,且加熱性能更佳。
另外,所述加熱載體設于一對相鄰的所述石墨舟片間時,所述加熱載體與相鄰的兩個所述石墨舟片間的距離相等。本實施例通過將加熱載體設于相鄰的兩個所述石墨舟片正中間,可以使兩個石墨舟片的加熱效果相同,避免了在不同石墨舟片之間產生溫差。
另外,沿第二方向的首個所述加熱區域的功率最高,各所述加熱區域的功率沿所述第二方向呈線性或非線性遞減?,F有技術中石墨舟片的舟尾側溫度高于石墨舟片的舟頭側溫度,本實施例中,有沿舟頭側指向舟尾側方向加熱區域功率遞減,使得在加熱過程中,舟尾側接收的熱量低,舟頭側接收的熱量相對較高,相互抵消之下,使得舟頭側與舟尾側的溫度分布均勻。
另外,所述加熱載體包括多個時,多個所述加熱載體并聯。
另外,所述加熱區域的數量為2~10個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





