[實(shí)用新型]一種晶圓KOH單面蝕刻治具有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202022762945.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN213691968U | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山世清;黎弈夆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇晶睿光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 koh 單面 蝕刻 | ||
本實(shí)用新型涉及一種晶圓KOH單面蝕刻治具,包括一上蓋,所述上蓋包括一上蓋主體;一與上蓋相配合的底座,包括一底座主體;所述上蓋主體與底座主體對(duì)接后,上蓋主體與底座主體之間共同形成一蝕刻空腔,在上蓋主體與底座主體對(duì)接處還連接有一壓力平衡組件,所述壓力平衡組件包括一對(duì)平衡管,平衡管的一側(cè)與蝕刻空腔相連通,另一側(cè)連接有一固定座,在固定座上還具有容平衡管安裝的通孔。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:通過增設(shè)一壓力平衡組件,利用兩根平衡管的配合,將蝕刻空腔中產(chǎn)生的氣體及時(shí)排至外界空氣中,保證蝕刻治具內(nèi)外的壓力平衡,相對(duì)應(yīng)的也就解決了因這部分氣體的存在而導(dǎo)致的晶圓表面的平整度等質(zhì)量問題以及安全隱患。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及晶圓蝕刻領(lǐng)域,特別涉及一種晶圓KOH單面蝕刻治具。
背景技術(shù)
通常進(jìn)行蝕刻加工是為了消除在晶圓的機(jī)械加工的過程中產(chǎn)生的損傷。
最近,半導(dǎo)體工業(yè)中已出現(xiàn)了增加晶圓的直徑以及增加集成密度和半導(dǎo)體裝置的圖案精細(xì)度的趨勢。批量式蝕刻設(shè)備不僅增加尺寸以便蝕刻大直徑晶圓,并且還增加對(duì)蝕刻溶劑的消耗。因此,每次對(duì)一個(gè)晶圓進(jìn)行加工的單片晶圓蝕刻設(shè)備已被廣泛地使用,以便有效地蝕刻大直徑晶圓。
而目前,對(duì)于典型的單片晶圓蝕刻設(shè)備而言,由于蝕刻溶劑覆蓋整個(gè)晶圓,所以所述蝕刻在晶圓的整個(gè)表面上進(jìn)行。因此,來自蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品的大量氣體不僅可被吸附在晶圓的表面上,并且所述氣體還可妨礙晶圓的表面與新供給的蝕刻溶劑發(fā)生反應(yīng),進(jìn)而可劣化晶圓的平整度,而且,由于這部分氣體的存在,會(huì)導(dǎo)致蝕刻設(shè)備內(nèi)部的壓力增加,即會(huì)導(dǎo)致蝕刻設(shè)備的內(nèi)外壓力出現(xiàn)不平衡的現(xiàn)象,還會(huì)存在著一定的安全隱患。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠保證蝕刻治具內(nèi)外壓力平衡的晶圓KOH單面蝕刻治具。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種晶圓KOH單面蝕刻治具,其創(chuàng)新點(diǎn)在于:包括
一上蓋,所述上蓋包括一上蓋主體,該上蓋主體的外輪廓邊依次為第一平邊、第二弧形邊、第三平邊、第四弧形邊,且第一平邊與第三平邊之間對(duì)稱分布,第二弧形邊與第四弧形邊對(duì)稱分布,在上蓋主體的外輪廓邊沿還分布有數(shù)個(gè)第一連接孔;
一與上蓋相配合的底座,所述底座包括一底座主體,該底座主體的外輪廓邊與上蓋主體的外輪廓邊形狀相同,在底座主體的外輪廓邊沿上還分布有數(shù)個(gè)第二連接孔;
所述上蓋主體與底座主體對(duì)接后通過數(shù)個(gè)連接螺栓一一穿過第一連接孔、第二連接孔后,實(shí)現(xiàn)上蓋主體與底座主體之間的固定,且在上蓋主體與底座主體對(duì)接后,上蓋主體與底座主體之間共同形成一蝕刻空腔,在上蓋主體與底座主體對(duì)接處還連接有一壓力平衡組件,所述壓力平衡組件包括一對(duì)平衡管,平衡管的一側(cè)與蝕刻空腔相連通,另一側(cè)連接有一固定座,在固定座上還具有容平衡管安裝的通孔。
進(jìn)一步的,所述上蓋主體的靠近底座主體的一側(cè)呈多臺(tái)階面結(jié)構(gòu),且多臺(tái)階面結(jié)構(gòu)分布于上蓋主體的第二弧形邊與第四弧形邊處,所述多臺(tái)階面結(jié)構(gòu)為由上蓋主體的外側(cè)至上蓋主體的中心方向依次分布的第一臺(tái)階面、第二臺(tái)階面、第三臺(tái)階面、第四臺(tái)階面、第五臺(tái)階面、第六臺(tái)階面、第七臺(tái)階面,其中,第一臺(tái)階面與第三臺(tái)階面相齊平,第二臺(tái)階面與第四臺(tái)階面相齊平,第五臺(tái)階面與第七臺(tái)階面相齊平,第二臺(tái)階面、第一臺(tái)階面、第五臺(tái)階面、第六臺(tái)階面的厚度依次減小,在底座主體靠近上蓋主體的一側(cè)的中部位置還具有一向上蓋主體方向凸出的第八臺(tái)階面,且第八臺(tái)階面的兩側(cè)與第四臺(tái)階面的側(cè)端面相貼合,在第八臺(tái)階面的兩側(cè)還分別具有一向上蓋主體方向凸出的第九臺(tái)階面,且第九臺(tái)階面與第五臺(tái)階面的端面相貼合。
進(jìn)一步的,所述底座主體遠(yuǎn)離上蓋主體的一側(cè)的中部位置還開有一減重孔。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型中的蝕刻治具,在上蓋與底座對(duì)接后,通過增設(shè)一壓力平衡組件,利用兩根平衡管的配合,將蝕刻空腔中產(chǎn)生的氣體及時(shí)排至外界空氣中,保證蝕刻治具內(nèi)外的壓力平衡,相對(duì)應(yīng)的也就解決了因這部分氣體的存在而導(dǎo)致的晶圓表面的平整度等質(zhì)量問題以及安全隱患。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





