[實(shí)用新型]一種真空滅弧室及真空滅弧室的主屏蔽罩有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202022746007.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN214203559U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉世柏;亓春偉;齊大翠;李小釗;劉暢;谷鳳娟;劉心悅;趙芳帥;李錕;焦淑敏;海竣超;尹婷;王茜;薛從軍;馬雪飛;白麗娜;孫宇;陳高攀;霍然;姚新偉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 平高集團(tuán)有限公司;天津平高智能電氣有限公司;國(guó)家電網(wǎng)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01H33/664 | 分類(lèi)號(hào): | H01H33/664;H01H33/662 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 滅弧室 屏蔽 | ||
本實(shí)用新型涉及一種真空滅弧室及真空滅弧室的主屏蔽罩。真空滅弧室,包括:外殼,沿真空滅弧室軸向?qū)樱糜趪烧婵涨皇遥唤饘僦蟹猸h(huán),焊接固定在兩段外殼之間,其上固定有主屏蔽罩;動(dòng)觸頭和靜觸頭,用于實(shí)現(xiàn)真空滅弧室的分合閘;主屏蔽罩包括:金屬外筒,金屬外筒的外周面上設(shè)有環(huán)形凸起,環(huán)形凸起形成中封環(huán)連接部位,用于與真空滅弧室的外殼上的金屬中封環(huán)焊接固定;陶瓷屏蔽層,設(shè)置在金屬外筒的徑向內(nèi)側(cè),為筒狀結(jié)構(gòu),用于包圍動(dòng)觸頭和靜觸頭所對(duì)應(yīng)的斷口。上述方案能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中的真空滅弧室絕緣性能受金屬蒸氣影響大而不利于小型化的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種真空滅弧室及真空滅弧室的主屏蔽罩。
背景技術(shù)
隨著電力工業(yè)的不斷發(fā)展及社會(huì)對(duì)環(huán)保要求的提高,真空滅弧室正在向高電壓的輸配電方向發(fā)展,應(yīng)用真空滅弧室的開(kāi)關(guān)設(shè)備也在向著高電壓、小型化方向發(fā)展。真空滅弧室的體積對(duì)開(kāi)關(guān)設(shè)備的整體體積來(lái)說(shuō)是重要因素,因此,真空滅弧室的高電壓、小型化是開(kāi)關(guān)設(shè)備小型化的基礎(chǔ)。然而,隨著電壓等級(jí)的提高,對(duì)真空滅弧室產(chǎn)品內(nèi)部絕緣性能的要求也越來(lái)越高,體積小型化問(wèn)題更加突出。
現(xiàn)有的真空滅弧室如公開(kāi)號(hào)為CN208548315U的中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)中公開(kāi)的一種真空滅弧室,包括中空的外殼,外殼的軸向兩端設(shè)有靜觸頭組件和動(dòng)觸頭組件,外殼內(nèi)于軸向中部設(shè)有屏蔽筒。其中靜觸頭組件包括靜導(dǎo)電桿和靜觸頭,動(dòng)觸頭組件包括動(dòng)導(dǎo)電桿、波紋管以及動(dòng)觸頭,動(dòng)導(dǎo)電桿導(dǎo)向設(shè)置在導(dǎo)向套中;外殼為相互拼接的兩段式結(jié)構(gòu),兩段外殼之間通過(guò)中封環(huán)固定連接;屏蔽筒形成主屏蔽罩,用于包圍在動(dòng)觸頭和靜觸頭所對(duì)應(yīng)的斷口處的外側(cè),其外周面上設(shè)有環(huán)形限位凸起(即上述專(zhuān)利文獻(xiàn)中的限位裙邊),用于固定到中封環(huán)上,用于起到均衡電場(chǎng)的作用。
但是,動(dòng)靜觸頭分合閘時(shí)會(huì)出現(xiàn)燃弧,燃弧會(huì)形成金屬蒸氣,金屬蒸氣吸附到外殼的內(nèi)壁面上以后會(huì)減弱外殼的內(nèi)壁面沿滅弧室軸向的絕緣性能,從而需要滅弧室的軸向尺寸較大才能滿(mǎn)足真空滅弧室內(nèi)的絕緣需求,不利于滅弧室小型化,也會(huì)增加相應(yīng)開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的安裝空間需求,導(dǎo)致成本較高。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種真空滅弧室的主屏蔽罩,解決現(xiàn)有技術(shù)中的真空滅弧室絕緣性能受金屬蒸氣影響大而不利于小型化的問(wèn)題。另外,本實(shí)用新型的另一個(gè)目的是提供一種真空滅弧室,能夠更容易地實(shí)現(xiàn)小型化。
本實(shí)用新型中真空滅弧室的主屏蔽罩采用如下技術(shù)方案:
真空滅弧室的主屏蔽罩,所述主屏蔽罩包括:
金屬外筒,金屬外筒的外周面上設(shè)有環(huán)形凸起,環(huán)形凸起形成中封環(huán)連接部位,用于與真空滅弧室的外殼上的金屬中封環(huán)焊接固定;
陶瓷屏蔽層,設(shè)置在金屬外筒的徑向內(nèi)側(cè),為筒狀結(jié)構(gòu),用于包圍動(dòng)觸頭和靜觸頭所對(duì)應(yīng)的斷口。
有益效果:采用上述技術(shù)方案,主屏蔽罩包括陶瓷屏蔽層,相比于現(xiàn)有技術(shù)中全金屬材質(zhì)的屏蔽罩,耐高溫性能更好,能夠避免在電弧的燒蝕下產(chǎn)生金屬蒸氣,從而改善真空滅弧室絕緣性能受金屬蒸氣影響大的問(wèn)題,并且陶瓷表面的孔隙相比于金屬有利于吸附金屬蒸氣,從而有利于真空滅弧室的小型化;另外,金屬外筒能夠方便地實(shí)現(xiàn)陶瓷屏蔽層的設(shè)置,固定方便,固定強(qiáng)度好。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案:所述陶瓷屏蔽層為噴涂在金屬外筒內(nèi)壁上的陶瓷噴涂層。
有益效果:采用上述技術(shù)方案制造方便,適合于批量生產(chǎn)。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案:所述陶瓷屏蔽層的軸向端部與金屬外筒的對(duì)應(yīng)端端部對(duì)齊。
有益效果:采用上述技術(shù)方案有利于提高陶瓷屏蔽區(qū)域。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案:所述金屬外筒的軸向兩端、陶瓷屏蔽層的軸向兩端均為收口結(jié)構(gòu)。
有益效果:采用上述技術(shù)方案能夠起到更好的防護(hù)效果,也有利于增強(qiáng)陶瓷屏蔽層與金屬外筒的固定可靠性。
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