[實用新型]新型MEMS芯片結構和電子設備

有效

• 申請號: 202022700576.2
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN213924036U
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 孟晗;劉兵;邱文瑞
• 申請（專利權）人: 青島歌爾智能傳感器有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;G01D21/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述新型MEMS芯片結構包括：

基體，所述基體包括基板和蓋體，所述基板具有安裝面，所述蓋體設于所述安裝面，并與所述安裝面圍合形成密封腔；

第一氣體傳感器，所述第一氣體傳感器設于所述安裝面，并與所述蓋體間隔，所述第一氣體傳感器與所述基板電連接；

第二氣體傳感器，所述第二氣體傳感器設于所述密封腔內，并與所述基板電連接；及

慣性傳感器，所述慣性傳感器設于所述密封腔內，并與所述第二氣體傳感器間隔，所述慣性傳感器與所述基板電連接。

2.如權利要求1所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述安裝面設有第一支撐部，所述第一支撐部與所述安裝面配合形成第一凹槽；所述第一氣體傳感器包括：

第一電極，所述第一電極設于所述第一支撐部，并蓋合所述第一凹槽的槽口，所述第一電極與所述基板電連接；和

第一氣敏層，所述第一氣敏層設于所述第一電極背向所述第一支撐部的一側。

3.如權利要求2所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述安裝面設有第二支撐部，所述第二支撐部與所述安裝面配合形成第二凹槽；所述第二氣體傳感器包括：

第二電極，所述第二電極設于所述第二支撐部，并蓋合所述第二凹槽的槽口，所述第二電極與所述基板電連接；和

第二氣敏層，所述第二氣敏層設于所述第二電極背向所述第二支撐部的一側。

4.如權利要求3所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述第一氣體傳感器還包括第一加熱電極和第一絕緣層，所述第一加熱電極設于所述第一凹槽內，并與所述基板電連接，所述第一絕緣層設于所述第一加熱電極和所述第一電極之間；

且/或，所述第二氣體傳感器還包括第二加熱電極和第二絕緣層，所述第二加熱電極設于所述第二凹槽內，并與所述基板電連接，所述第二絕緣層設于所述第二加熱電極和所述第二電極之間。

5.如權利要求3所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述第一支撐部內設有第一導電柱，所述第一導電柱與所述第一電極和所述基板電連接；

且/或，第二支撐部內設有第二導電柱，所述第二導電柱與所述第二電極和所述基板電連接。

6.如權利要求1所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述安裝面設有第三支撐部，所述第三支撐部與所述安裝面配合形成第三凹槽；所述慣性傳感器包括：

第三電極，所述第三電極設于所述第三凹槽內，并與所述基板電連接；和

第四電極，所述第四電極設于所述第三支撐部，并蓋合所述第三凹槽的槽口，所述第四電極與所述第三電極相對設置，并與所述基板電連接，所述第四電極設有連通所述第三凹槽的通孔。

7.如權利要求6所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述第四電極包括多個慣性電極和多個固定電極，多個所述慣性電極和多個所述固定電極呈交替且間隔排布，相鄰的所述慣性電極和所述固定電極之間形成所述通孔；

且/或，第三支撐部內設有第三導電柱，所述第三導電柱與所述第四電極和所述基板電連接。

8.如權利要求1至7中任一項所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述基板包括襯底、第三絕緣層及導電層，所述襯底和所述第三絕緣層呈層疊設置，所述第三絕緣層背向所述襯底的一側形成所述安裝面，所述導電層設于所述第三絕緣層內；

所述第一氣體傳感器、所述第二氣體傳感器及所述慣性傳感器均與所述導電層電連接。

9.如權利要求8所述的新型MEMS芯片結構，其特征在于，所述襯底背向所述第三絕緣層的一側設有第一背腔，所述第一背腔與所述第一氣體傳感器對應；

且/或，所述襯底背向所述第三絕緣層的一側設有第二背腔，所述第二背腔與所述第二氣體傳感器對應；

且/或，所述安裝面設有焊盤，所述焊盤與所述導電層連接。

10.一種電子設備，其特征在于，包括設備殼體和如權利要求1至9中任一項所述的新型MEMS芯片結構，所述新型MEMS芯片結構設于所述設備殼體內。