[實用新型]帶有屏蔽柵結構的IGBT器件有效
| 申請號： | 202022677284.1 | 申請日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN213424995U | 公開（公告）日： | 2021-06-11 |
| 發明（設計）人： | 廖巍;張海濤 | 申請（專利權）人： | 無錫紫光微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新區菱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶有 屏蔽 結構 igbt 器件 | ||
1.一種帶有屏蔽柵結構的IGBT器件，其特征是：它包括第二導電類型集電極（1）、第一導電類型緩沖層（2）、第一導電類型襯底（3）、第二導電類型體區（4）、第一導電類型發射極（5）、絕緣介質層（6）、發射極金屬（7）、屏蔽柵氧化層（8）、柵極導電多晶硅（9）、屏蔽柵多晶硅（10）、屏蔽柵蓋板（11）與柵極氧化層（12）；
在第二導電類型集電極（1）上設置第一導電類型緩沖層（2），在第一導電類型緩沖層（2）上設置第一導電類型襯底（3），在第一導電類型襯底（3）上設置第二導電類型體區（4），在第二導電類型體區（4）上設置第一導電類型發射極（5），在第一導電類型發射極（5）上開設有溝槽，溝槽向下第一導電類型發射極（5）與第二導電類型體區（4）并最終進入第一導電類型襯底（3）內，在溝槽的下段內設置屏蔽柵氧化層（8），在屏蔽柵氧化層（8）內設置屏蔽柵多晶硅（10），在屏蔽柵多晶硅（10）上設置屏蔽柵蓋板（11），在溝槽的上段內設置柵極氧化層（12），在柵極氧化層（12）內設置柵極導電多晶硅（9），在第一導電類型發射極（5）、柵極導電多晶硅（9）與柵極氧化層（12）上設置絕緣介質層（6），在絕緣介質層（6）上設置發射極金屬（7），發射極金屬（7）通過通孔與第二導電類型體區（4）以及第一導電類型發射極（5）歐姆接觸。
2.根據權利要求1所述的帶有屏蔽柵結構的IGBT器件，其特征是：所述溝槽的寬度為0.2um-2um，屏蔽柵蓋板（11）的下表面至溝槽的底面之間的距離為1um-2um。
3.根據權利要求1所述的帶有屏蔽柵結構的IGBT器件，其特征是：所述柵極導電多晶硅（9）的寬度大于屏蔽柵多晶硅（10）的寬度，使得柵極氧化層（12）的厚度小于屏蔽柵氧化層（8）的厚度。
4.根據權利要求1所述的帶有屏蔽柵結構的IGBT器件，其特征是：對于N型器件，第一導電類型為N型導電，第二導電類型為P型導電；對于P型器件，第一導電類型為P型導電，第二導電類型為N型導電。
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