[實用新型]基于鈮酸鋰的波導陣列有效
| 申請號： | 202022674059.2 | 申請日： | 2020-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN214067429U | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 馮吉軍;劉海鵬 | 申請（專利權）人： | 蘇州科沃微電子有限公司;上海理工大學 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海灣谷知識產權代理事務所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 倪繼祖 |
| 地址： | 215431 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 鈮酸鋰 波導 陣列 | ||
1.一種基于鈮酸鋰的波導陣列，其特征在于，包括：
硅基襯底；
沉積在所述硅基襯底上的二氧化硅緩沖層；
位于所述二氧化硅緩沖層上的芯層；以及
位于所述芯層上，并包覆所述芯層的二氧化硅包層；
其中，所述芯層包括：左右對稱的兩個鈮酸鋰寬波導、第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵；
所述第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵位于兩個所述鈮酸鋰寬波導之間；所述第一鈮酸鋰光柵位于所述第二鈮酸鋰光柵左邊。
2.根據權利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導陣列，其特征在于，所述鈮酸鋰寬波導為直波導，寬度為0.5μm，高度為0.3μm，兩個所述鈮酸鋰寬波導之間間隙為1.46μm。
3.根據權利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導陣列，其特征在于，所述芯層還包括：位于所述二氧化硅緩沖層上，并位于所述鈮酸鋰寬波導、第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵下方的鈮酸鋰薄膜，該鈮酸鋰薄膜厚度為0.1μm。
4.根據權利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導陣列，其特征在于，所述第一鈮酸鋰光柵的周期為0.35-0.45μm，占空比為0.85-0.95，寬度為0.24-0.28μm，光柵數目為250，所述第一鈮酸鋰光柵距離左側鈮酸鋰寬波導間距為0-0.05μm；
所述第二鈮酸鋰光柵的周期為0.8-0.9μm，占空比為0.15-0.25，寬度為0.05-0.15μm，光柵數目為150，所述第二鈮酸鋰光柵距離右側鈮酸鋰寬波導間距為0.4-0.45μm；
所述第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵之間的間距為0.14-0.18μm。
5.根據權利要求1所述的基于鈮酸鋰的波導陣列，其特征在于，還包括附著在二氧化硅包層上的金屬電極。
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