[實用新型]一種刻蝕機托盤結構有效
| 申請號: | 202022615897.2 | 申請日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN213716855U | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 陳勝江 | 申請(專利權)人: | 杭州帕茲電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京沁優知識產權代理有限公司 11684 | 代理人: | 郭峰 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市蕭山區蕭山*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 刻蝕 托盤 結構 | ||
本專利申請涉及刻蝕機技術領域,公開了一種刻蝕機托盤結構,包括托盤,托盤上開設有若干用于放置硅片的圓形的凹槽,托盤上方設置有蓋板,托盤與蓋板可拆卸連接,蓋板的邊緣形成有環形的定位部,定位部的內側壁與托盤的外側壁相接觸,托盤上固定連接有定位銷,蓋板上開設有與定位銷滑動配合的銷孔,蓋板與各個凹槽相對的位置上開設有通孔,通孔的外緣上形成有環形的接觸部,接觸部位于蓋板的下表面上,當蓋板蓋合于托盤上時,接觸部與放置于凹槽內的硅片的上表面相接觸,通過在托盤上設置有蓋板,通過蓋板自身的重力將硅片固定在凹槽內,避免在托盤的移動過程中的震動導致硅片脫離凹槽。
技術領域
本實用新型涉及刻蝕機技術領域,尤其涉及一種刻蝕機托盤結構。
背景技術
干法刻蝕是利用等離子體進行的一種薄膜刻蝕方法。當氣體以等離子體形式存在時,這些氣體的化學活性比常態下時要強很多,根據被刻蝕材料的不同選擇合適的氣體,就可以更快地與材料進行反應,實現刻蝕加工的目的。
實際操作過程中,通常利用機械手將硅片逐一放置在托盤上的凹槽內,然后將托盤放置于反應室內,電離氣體對硅片進行刻蝕。刻蝕機托盤直接與半導體硅片接觸,對硅片進行定位與裝夾,刻蝕過程中會產生大量的熱量,在托盤與硅片之間會導入冷卻氣體對硅片進行冷卻。在托盤轉移的過程中容易發生震動,從而導致硅片容易從凹槽中脫離,固定效果差。
實用新型內容
本實用新型意在提供一種刻蝕機托盤結構,其具備硅片不易脫離凹槽的特點。
為達到上述目的,本實用新型的基本方案如下:
一種刻蝕機托盤結構,包括托盤,所述托盤上開設有若干用于放置硅片的圓形的凹槽,所述托盤上方設置有蓋板,所述托盤與蓋板可拆卸連接,所述蓋板的邊緣形成有環形的定位部,所述定位部的內側壁與托盤的外側壁相接觸,所述托盤上固定連接有定位銷,所述蓋板上開設有與定位銷滑動配合的銷孔,所述蓋板與各個凹槽相對的位置上開設有通孔,所述通孔的外緣上形成有環形的接觸部,所述接觸部位于蓋板的下表面上,當蓋板蓋合于托盤上時,接觸部與放置于凹槽內的硅片的上表面相接觸。
進一步地,所述凹槽內滑動連接有用于放置硅片的放置板,所述放置板與凹槽的底面之間固定連接有若干壓縮彈簧,所述放置板的上表面低于所述托盤的上表面,通過在凹槽內設置可上下移動的放置板即可固定多種不同厚度的硅片,提高托盤的適用性,并且放置板能夠在凹槽內發生輕微的傾斜,避免由于硅片表面受力不均勻導致的硅片的損壞,可以減小凹槽底面的加工精度,必要時可以更換放置板而不必更換整個托盤,更具經濟性。
進一步地,所述托盤的底部設置有用于通入冷卻氣體的進氣口和若干用于排出氦氣的出氣口,所述托盤內設置有氣體流道,所述放置板上貫穿有連接孔,所述放置板與硅片相接觸的表面上開設有若干連接槽,所述連接孔和連接槽相互連通所述放置板的邊緣與凹槽的內壁間形成有容納氣體流出的間隙,當向進氣口通入冷卻氣體時,冷卻氣體通過氣體流道進入凹槽,由連接孔進入連接槽內并經過間隙后由出氣口排出,在刻蝕的過程中需要通入冷卻氣體對硅片進行冷卻。
進一步地,所述氣體流道沿托盤的圓心圓周均勻分布,冷卻氣體通過氣體流道均勻進入各個凹槽內,各個凹槽內的硅片冷卻均勻。
進一步地,所述放置板為圓形,所述連接槽沿放置板的圓心圓周均勻分布,冷卻氣體能夠均勻到達硅片的底面,冷卻效果好。
進一步地,所述凹槽的側壁上形成有向凹槽傾斜的導向面,所述導向面的下緣高于放置板的上表面,當硅片落在導向面上時,硅片沿導向面滑入凹槽內,減少人工輔助上料的操作。
進一步地,所述凹槽的邊緣開設有若干用于容納機械手伸入的容納槽,避免機械手與托盤發生干涉。
與現有技術相比本方案的有益效果是:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





