[實用新型]便攜式超聲直流電脈沖離子導入治療儀有效
| 申請號: | 202022526254.0 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN213941863U | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發明(設計)人: | 邵文;徐冬;律鑫;李智超 | 申請(專利權)人: | 沈陽中康醫療科技有限公司 |
| 主分類號: | A61N1/30 | 分類號: | A61N1/30;A61N7/00;A61M37/00 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 王倩 |
| 地址: | 110179 遼寧省沈陽*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 便攜式 超聲 直流 電脈沖 離子 導入 治療 | ||
1.便攜式超聲直流電脈沖離子導入治療儀,其特征在于,包括:電池、控制板、底板、PET按鍵、以及治療頭,其中:電池正負極通過導線及端子連接器接入底板,控制板通過兩側的單排插針與底板上的排母連接,PET按鍵的信號線通過排針接于控制板,治療頭由超聲換能片和不銹鋼碗組成,超聲換能片置于不銹鋼碗中間,二者采用絕緣膠粘合連接,治療頭引出線接于底板。
2.根據權利要求1所述的便攜式超聲直流電脈沖離子導入治療儀,其特征在于,所述控制板為矩形電路板,電路板兩側各設有單排插針用于與底板排母相連,控制板還包括主控芯片以及分別與主控芯片相連的顯示屏、儲存單元、音頻芯片、字庫芯片以及用于接入按鍵的按鍵接口;主控芯片的音頻信號管腳通過排針與置于底板的音頻芯片相連,信號經放大處理后,由底板引出接線端子與揚聲器連接。
3.根據權利要求1所述的便攜式超聲直流電脈沖離子導入治療儀,其特征在于,所述底板包括:從芯片、DC充電接口、充電電路、放電電路、變壓器、電脈沖驅動電路、超聲波驅動電路、第一穩壓器組、第二穩壓器組、震蕩電路、電壓調節電路、恒流源電路、繼電器以及光耦合器,其中:
DC充電接口連接二極管D1的輸入,充電電路的輸入端連接二極管D1的輸出,充電電路的輸出端與放電電路的輸入端之間通過電池接地,放電電路的輸入端通過第一穩壓器組連接控制板的主控芯片的電源引腳VCC,放電電路的輸出端依次通過變壓器以及第二穩壓器組連接從芯片的電源引腳VCC,從芯片的第一控制引腳PWM輸出至震蕩電路驅動超聲波輸出,電脈沖驅動電路的輸入分別通過電壓調節電路連接從芯片的第二控制引腳PWM、通過恒流源電路連接從芯片的數模DA引腳,電脈沖驅動電路的輸出通過繼電器連接控制板的主控芯片,從芯片通過光耦合器與控制板的主控芯片相連。
4.根據權利要求3所述的便攜式超聲直流電脈沖離子導入治療儀,其特征在于,所述充電電路包括:二極管D1的輸出端作為充電電路的輸入端并通過電解電容C6接地;充電芯片的DCIN引腳連接二極管D1的輸出端;充電芯片的CHG引腳通過電阻R1連接接二極管D1的輸出端;充電芯片的NTC引腳依次通過電阻R3和電阻R2連接二極管D1的輸出端,電阻R2和電阻R3之間通過電容C1接地;充電芯片的RT引腳通過電阻R4接地;充電芯片的ITH引腳依次通過電阻R5以及電容C2接地;充電芯片的INFET引腳連接MOSFET管M1的柵極,MOSFET管M1的漏極連接二極管D1的輸出端,MOSFET管M1的源極連接MOSFET管M2的源極;充電芯片的CLP引腳通過電阻R6連接MOSFET管M2的源極;充電芯片的CLN引腳通過電阻R7連接MOSFET管M2的源極,充電芯片的CLP引腳與充電芯片的CLN引腳之間接有電容C3,MOSFET管M2的源極通過電容C4接地;充電芯片的TGATE引腳連接MOSFET管M2的柵極,MOSFET管M2的漏極連接MOSFET管M3的漏極;充電芯片的BGATE引腳連接MOSFET管M3的柵極,MOSFET管M3的源極接地;充電芯片的CSP引腳通過電感L1連接MOSFET管M3的漏極;充電芯片的BAT引腳依次通過電阻R8、電感L1連接MOSFET管M3的漏極;MOSFET管M3的漏極通過二極管D2接地;充電芯片的BAT引腳作為充電電路的輸出端分別通過電解電容C7、電容C5、鋰電池接地。
5.根據權利要求3所述的便攜式超聲直流電脈沖離子導入治療儀,其特征在于,所述放電電路包括:MOSFET管M4的漏極作為放電電路的輸入端并通過電阻R9連接MOSFET管M4的柵極;MOSFET管M5的柵極分別連接電阻R10和電阻R11,并通過電阻R11接地,MOSFET管M5的源極接地,MOSFET管M5的漏極連接MOSFET管M4的柵極,MOSFET管M4的源極作為放電電路的第一輸出端與變壓器相連,MOSFET管M5的柵極通過電阻R10后作為放電電路的第二輸出端連接控制板的主控芯片IO引腳;主控芯片IO引腳控制M5導通,從而驅動M4導通將電源輸出。
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