[實用新型]一種垂直結構深紫外發光二極管

有效

• 申請號: 202022524137.0
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN215184030U
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 崔志勇;尉尊康;李勇強;郭凱;薛建凱;張向鵬;張曉娜;王雪
• 申請（專利權）人: 山西中科潞安紫外光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/24;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390
• 代理人: 張宏偉

1.一種垂直結構深紫外發光二極管，其包括自下而上設置的N-AlGaN層(104)、多量子阱層(105)、P-AlGaN層(106)和P-GaN層(107)，其特征在于，所述P-GaN層(107)的部分區域的全部或一部分被去除掉并在所述P-GaN層(107)的上表面上沉積有一層反射層(201)，所述反射層(201)的上表面上沉積有一層粘合金屬層(202)，所述粘合金屬層(202)的上表面上結合有一層導電基板層(301)，所述N-AlGaN層(104)的部分下表面上制作有電極金屬層(401)且所述電極金屬層(401)的位置與所述P-GaN層(107)的所述部分區域相對應。

2.根據權利要求1所述的垂直結構深紫外發光二極管，其特征在于，所述導電基板層(301)由金屬或硅制成。

3.根據權利要求2所述的垂直結構深紫外發光二極管，其特征在于，所述述粘合金屬層(202)與所述導電基板層(301)通過鍵合或電鍍結合在一起。

4.根據權利要求3所述的垂直結構深紫外發光二極管，其特征在于，所述N-AlGaN層(104)的未制作所述電極金屬層(401)的下表面進行了粗糙化處理。