[實用新型]一種70對棒多晶硅還原爐底盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022501563.2
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN213713975U
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 盛斌;詹水華;繆炳;文德育
• 申請（專利權）人: 江蘇雙良新能源裝備有限公司
• 主分類號: F27D11/10
• 分類號: F27D11/10;F27D3/00;C01B33/035
• 代理公司: 江陰市揚子專利代理事務所(普通合伙) 32309
• 代理人: 劉小紅

本實用新型涉及一種70對棒多晶硅還原爐底盤，包括底盤法蘭、底盤面板、中心尾氣孔、電極孔、進料噴嘴和外圈尾氣孔，所述中心尾氣孔、電極孔、進料噴嘴和外圈尾氣孔按設計要求分布在底盤面板上，與底盤法蘭、底盤面板共同組合成還原爐底盤，所述中心尾氣孔位于底盤面板的中心，沿底盤面板的中心向外依次設有5環(huán)電極孔，各環(huán)電極孔呈同心圓，所述進料噴嘴設有4環(huán)，各環(huán)進料噴嘴設置在相鄰兩環(huán)電極孔之間，所述外圈尾氣孔按環(huán)形分布在底盤面板的最外圈。本實用新型對還原反應過程中產(chǎn)生的各種熱量進行整合，充分利用硅棒間的熱輻射，在有效提高還原爐單爐產(chǎn)能的前提下，降低電耗，提升品質(zhì)，提供一種穩(wěn)定的大型多晶硅還原爐，從而大幅降低多晶硅生產(chǎn)成本。

技術領域

本實用新型涉及改良西門子法生產(chǎn)多晶硅技術領域，具體涉及一種70對棒多晶硅還原爐底盤。

背景技術

改良西門子法生產(chǎn)多晶硅是國內(nèi)、國際上生產(chǎn)多晶硅的主流成熟工藝：以高純?nèi)葰涔铻樵希?100℃左右的高純硅芯上利用高純氫氣將其還原，硅芯在高溫發(fā)熱情況下進行生長單質(zhì)硅，得到多晶硅棒狀產(chǎn)品，其中還原爐是該工藝的核心設備。

目前應用最為成熟的是40對棒還原爐，以及少部分72對棒還原爐。但是40對棒的產(chǎn)量相對較低，電耗也相對高一些；而72對棒運行較不穩(wěn)定，產(chǎn)品質(zhì)量較差。因此為解決上述問題，有必要開發(fā)一種大型的，高產(chǎn)節(jié)能的還原爐，合理的進行底盤布置，充分利用熱輻射，進一步降低還原爐運行電耗，提升國內(nèi)多晶硅行業(yè)競爭力。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服上述不足，提供了一種70對棒多晶硅還原爐底盤，以解決現(xiàn)有還原爐產(chǎn)量低，電耗高等問題。

本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的：

一種70對棒多晶硅還原爐底盤，包括底盤法蘭、底盤面板、中心尾氣孔、電極孔、進料噴嘴和外圈尾氣孔，所述中心尾氣孔、電極孔、進料噴嘴和外圈尾氣孔按設計要求分布在底盤面板上，與底盤法蘭、底盤面板共同組合成還原爐底盤，所述中心尾氣孔位于底盤面板的中心，沿底盤面板的中心向外依次設有5環(huán)電極孔，各環(huán)電極孔呈同心圓，所述進料噴嘴設有4環(huán)，各環(huán)進料噴嘴設置在相鄰兩環(huán)電極孔之間，所述外圈尾氣孔按環(huán)形分布在底盤面板的最外圈。

優(yōu)選的，由內(nèi)向外，各環(huán)電極孔數(shù)量分別為12、20、28、36、44。

優(yōu)選的，由內(nèi)向外，各環(huán)進料噴嘴數(shù)量分別為6、12、12、16。

優(yōu)選的，各環(huán)的電極孔采用同圈的相鄰兩個電極孔搭接。

優(yōu)選的，相鄰兩個電極孔的距離在200-250mm之間調(diào)整。

優(yōu)選的，相鄰兩個電極孔的距離采用235mm。

優(yōu)選的，最外圈每個電極孔中心與還原爐的爐筒內(nèi)壁之間的距離相等。

本實用新型的有益效果是：

本實用新型對還原反應過程中產(chǎn)生的各種熱量進行整合，充分利用硅棒間的熱輻射，在有效提高還原爐單爐產(chǎn)能的前提下，降低電耗，提升品質(zhì)，提供一種穩(wěn)定的大型多晶硅還原爐，設備投資低，操作難度小，從而大幅降低多晶硅生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

其中：1、底盤法蘭；2、底盤面板；3、中心尾氣孔；4、電極孔；5、進料噴嘴；6、外圈尾氣孔。

具體實施方式