[實用新型]薄膜沉積旋轉盤系統有效
| 申請號: | 202022409947.1 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN214736079U | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 吳銘欽;劉峰 | 申請(專利權)人: | 蘇州雨竹機電有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C14/50;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京市萬慧達律師事務所 11111 | 代理人: | 劉艷麗 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市自由貿易試*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 沉積 旋轉 系統 | ||
1.一種薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,包括:
機臺,機臺上設有至少一晶圓凹座;
碟盤,設置在所述晶圓凹座內,所述碟盤上設有晶圓容置槽;
晶圓升降裝置,穿設于所述碟盤中央;
第一輸氣通道,設置在所述機臺上,并連通所述晶圓凹座的空間,以輸送氣體至所述晶圓升降裝置的底部,令所述晶圓升降裝置升降;以及
排氣通道,設置在所述機臺上,并連通所述晶圓凹座的空間,令氣體由所述排氣通道排出,以調節晶圓升降裝置升降高度。
2.如權利要求1所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述晶圓升降裝置還包括:
套管,設置在所述晶圓凹座上,且所述套管上具有輸氣穿孔;及
至少一排氣穿孔,位于所述套管靠近頂部的位置,且排氣穿孔連通輸氣穿孔;及
頂柱,穿設在所述套管的所述輸氣穿孔中,且所述頂柱上設有晶圓承載座;其中所述第一輸氣通道用于輸送氣體至所述晶圓升降裝置的底部,令所述頂柱根據氣體的流量上升,且當所述頂柱位于所述套管內的高度超過所述排氣穿孔時,氣體由所述排氣穿孔排出至所述晶圓凹座的空間,再由所述排氣通道排出,以調節氣體的流量限制所述頂柱升降的高度。
3.如權利要求2所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,還包括:第二輸氣通道,設置在所述機臺上;所述第二輸氣通道還通過至少兩輸氣口連通所述晶圓凹座的空間,當所述第二輸氣通道通過至少兩輸氣口輸入氣體至所述晶圓凹座的空間時,能舉升并旋轉所述碟盤,氣體由所述排氣通道排出。
4.如權利要求3所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述晶圓凹座上還設有至少兩氣流通道,分別連通所述兩輸氣口,且所述兩氣流通道以放射狀排列設置在所述晶圓凹座上。
5.如權利要求3所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述碟盤上還設有晶圓承載座凹槽,其吻合所述頂柱的所述晶圓承載座的形狀,當所述碟盤上升時一并升舉所述頂柱。
6.如權利要求2所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述頂柱還包括上頂柱以及下頂柱,所述上頂柱設置在下頂柱上。
7.如權利要求2所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述晶圓凹座上還設有頂柱容置凹槽以容置所述頂柱,且所述頂柱容置槽連通所述第一輸氣通道。
8.如權利要求2所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述頂柱底部設有支撐桿。
9.如權利要求2所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述碟盤上且位于所述套管的所述排氣穿孔的一側還設有排氣間隙,令所述排氣穿孔排氣至所述排氣通道。
10.如權利要求2所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述排氣穿孔垂直所述輸氣穿孔設置。
11.如權利要求3所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,還包括氣體輸出裝置,連通所述第一輸氣通道與所述第二輸氣通道,以輸出氣體至所述第一輸氣通道與所述第二輸氣通道。
12.如權利要求1所述的薄膜沉積旋轉盤系統,其特征在于,所述晶圓凹座上設有排氣凹槽且排氣凹槽環設于所述晶圓升降裝置外,排氣凹槽連通所述排氣通道。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





