[實用新型]一種接地環及等離子體刻蝕設備

有效

• 申請號: 202022363574.9
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN212848301U
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 王智昊;傅時梁;王偉娜;黃允文;倪圖強
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;張靜潔

1.一種等離子體刻蝕設備，其特征在于，包括：

真空反應腔，其內部設置有用于承載基片的基座；

氣體注入裝置，用于向所述真空反應腔內輸送反應氣體；

接地環，其位于所述真空反應腔的側壁和基座之間，環繞所述基座設置，且沿基座的側壁方向具有一定的延展；

所述接地環與所述基座之間具有空隙，所述接地環上設置有通孔。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述基座下方固定連接有可伸縮密封部，所述基座能夠沿著可伸縮密封部伸縮方向運動。

3.如權利要求2所述的設備，其特征在于所屬基座與導電支撐桿固定連接，所述基座通過驅動裝置沿導電支撐桿軸向運動。

4.如權利要求2所述的設備，其特征在于，所述接地環與所述真空反應腔的側壁之間為空腔，所述通孔連通所述空隙和空腔。

5.如權利要求2所述的設備，其特征在于：所述通孔為多個，且多個所述通孔的總面積大于等于所述空隙的上表面積的10倍，小于等于所述接地環表面積的80％。

6.如權利要求5所述的設備，其特征在于：多個所述通孔均勻或非均勻環繞設置在所述接地環中上方。

7.如權利要求5所述的設備，其特征在于：所述通孔形狀為圓形或方形。

8.如權利要求2所述的設備，其特征在于：所述空隙上方設置有氣體遮擋環，用于引導空隙中氣體向所述真空反應腔的側壁方向流動。

9.如權利要求8所述的設備，其特征在于：所述氣體遮擋環徑向寬度大于所述空隙寬度。

10.如權利要求9所述的設備，其特征在于：所述氣體遮擋環的材料為陶瓷或石英。

11.如權利要求1所述的設備，其特征在于：所述接地環和所述真空反應腔的側壁之間設置有導電部件。

12.如權利要求11所述的設備，其特征在于：所述接地環和所述真空反應腔可分離設置。

13.一種接地環，用于等離子刻蝕設備，所述等離子刻蝕設備包括真空反應腔、基座和導電部件，其特征在于：所述接地環通過所述導電部件和真空反應腔的側壁連接，且與所述基座之間設有空隙，所述接地環環繞所述基座設置，且沿基座的側壁方向具有一定的延展，其上設置有通孔。