[實用新型]一種基于二維硒化銦光存儲器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022362007.1 | 申請日： | 2020-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN213459741U | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙清華;王濤;介萬奇;安德烈斯·卡斯泰拉諾斯·戈麥斯;里卡多·夫里森達 | 申請（專利權(quán)）人： | 西北工業(yè)大學 |
| 主分類號： | H01L29/47 | 分類號： | H01L29/47;H01L29/24;H01L29/06;H01L29/772;G11B7/2433;G11B7/2437 |
| 代理公司： | 西北工業(yè)大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 二維 硒化銦光 存儲 器件 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種基于二維硒化銦光存儲器件，其特征在于包括金屬條、二維硒化銦、石墨、SiO2/Si和鉻；SiO2/Si作為襯底，襯底上設(shè)有鉻層，鉻層上設(shè)有兩個金屬條作為電極，相互之間設(shè)有溝道；一個金屬電極上設(shè)有少層石墨，從單側(cè)電極表面并充分覆蓋電極內(nèi)側(cè)邊緣且不搭接另一側(cè)電極；二維硒化銦薄片搭接在另一側(cè)金屬電極與石墨電極之間，形成金屬-二維硒化銦-石墨肖特基二極；其中金屬電極與電壓源的正極相接，石墨電極與電壓源的負極相接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于二維硒化銦光存儲器件，其特征在于：所述兩個金屬條的厚度為30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述基于二維硒化銦光存儲器件，其特征在于：所述金屬條為金或鉑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于二維硒化銦光存儲器件，其特征在于：所述鉻的厚度為5nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于二維硒化銦光存儲器件，其特征在于：所述兩個金屬條電極之間的溝道寬度為30μm。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
