[實用新型]晶圓的測試結構

有效

• 申請號: 202022357201.0
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN214068725U
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 周源;張小麟;李靜怡;梁維佳;朱林迪;楊欞鑫;常東旭;王超;于江勇
• 申請（專利權）人: 北京燕東微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01R31/28;G01R1/04
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;楊思雨

1.一種晶圓的測試結構，其特征在于，所述晶圓包括至少一個半導體器件，所述半導體器件具有套刻的第一結構和第二結構；所述測試結構包括：

接觸區；

多個第一阱區，與所述接觸區均位于摻雜結構中；

第一電極，分別與每個所述第一阱區電連接；以及

測試電極，與所述接觸區電連接，并與所述第一電極間隔設置，使得所述第一電極與所述測試電極之間具有第一電阻，

其中，沿第一方向，隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大，所述接觸區與所述第一阱區接觸的數量遞增或遞減，使所述第一電阻的阻值隨之改變；

所述第一方向垂直于所述晶圓的厚度方向。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，還包括：

多個第二阱區，位于所述摻雜結構中，所述多個第二阱區為第二摻雜類型；

第二電極，分別與每個所述第二阱區電連接，并與所述測試電極間隔設置，使得所述第二電極與所述測試電極之間具有第二電阻，

其中，沿所述第一方向，所述第一阱區與所述第二阱區分別位于所述測試電極的兩側，且隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大，所述接觸區與所述第二阱區接觸的數量遞增或遞減，使得所述第二電阻的阻值隨之改變。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，沿所述第一方向，

在所述第一結構與所述第二結構之間的相對距離不超過預設值的情況下，所述第一電阻與所述第二電阻的電阻值相同；

在所述第一結構與所述第二結構之間的相對距離大于預設值的情況下，隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大，所述第一電阻的電阻值與所述第二電阻的電阻值變化的趨勢相反，且變化量相同。

4.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述第一阱區的數量為2n+1，其中n為正整數；在所述第一結構與所述第二結構之間的相對距離不超過預設值的情況下，所述接觸區與所述第一阱區接觸的數量為n+1。

5.根據權利要求4所述的測試結構，其特征在于，多個所述第一阱區平行排布并均沿所述第一方向延伸，沿所述第一方向按預設距離遞進排列；

多個所述第二阱區平行排布并均沿所述第一方向延伸，沿所述第一方向按預設距離遞進排列。

6.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，多個所述第一阱區與多個所述第二阱區在所述測試電極上的正投影呈中心對稱或軸對稱。

7.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，還包括隔離層和多個連接柱，

其中，所述隔離層位于所述摻雜結構上，所述多個連接柱穿過所述隔離層，所述第一電極與所述測試電極位于所述隔離層上，所述第一電極經相應所述連接柱與所述阱區電連接，所述測試電極經相應所述連接柱與所述接觸區電連接。

8.根據權利要求7所述的測試結構，其特征在于，所述第一電極和所述測試電極均為焊盤；所述焊盤與所述連接柱直接接觸，或者所述焊盤通過位于所述晶圓中的導電層與所述連接柱連接。

9.根據權利要求1-7任一項所述的測試結構，其特征在于，還包括：

多個第三阱區，位于所述摻雜結構中，所述多個第三阱區為第二摻雜類型；

第三電極，分別與每個所述第三阱區電連接，并與所述測試電極間隔設置，使得所述第三電極與所述測試電極之間具有第三電阻，

其中，沿第二方向，隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大，所述接觸區與所述第三阱區接觸的數量遞增或遞減，使所述第三電阻的阻值隨之改變；

所述第二方向分別垂直于所述晶圓的厚度方向與所述第一方向。

10.根據權利要求9所述的測試結構，其特征在于，還包括：

多個第四阱區，位于所述摻雜結構中，所述多個第四阱區為第二摻雜類型；

第四電極，分別與每個所述第四阱區電連接，并與所述測試電極間隔設置，使得所述第四電極與所述測試電極之間具有第四電阻，

其中，沿所述第二方向，所述第三阱區與所述第四阱區分別位于所述測試電極的兩側，且隨著所述第一結構與所述第二結構之間相對位置的偏差增大，所述接觸區與所述第四阱區接觸的數量遞增或遞減，使得所述第四電阻的阻值隨之改變。