[實(shí)用新型]新型離子阱柵網(wǎng)屏蔽離子檢測器系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022353847.1 | 申請日: | 2020-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN213459634U | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙高升;施月娥 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州蔚領(lǐng)知譜檢測技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01J49/02 | 分類號: | H01J49/02;H01J49/42 |
| 代理公司: | 北京中南長風(fēng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11674 | 代理人: | 鄭海 |
| 地址: | 310030 浙江省杭州市西湖*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 新型 離子 阱柵網(wǎng) 屏蔽 檢測器 系統(tǒng) | ||
本實(shí)用新型公開了質(zhì)譜儀技術(shù)領(lǐng)域的新型離子阱柵網(wǎng)屏蔽離子檢測器系統(tǒng),包括屏蔽罩、打拿極固定座、打拿極、電子倍增器、倍增器固定座和信號接收極,所述打拿極固定座固定于所述屏蔽罩的內(nèi)腔底部,所述打拿極固定于所述打拿極固定座的頂部,所述倍增器固定座固定于所述屏蔽罩的內(nèi)腔頂部,所述電子倍增器固定于所述倍增器固定座的底部,所述打拿極位于所述電子倍增器的正上方,所述屏蔽罩的外部設(shè)有柵網(wǎng)層,采用柵網(wǎng)屏蔽層來代替?zhèn)鹘y(tǒng)2?10mm狹縫,保持屏蔽效果的同時(shí),大大增強(qiáng)了離子通過率;采用打拿極和倍增器結(jié)構(gòu),利用打拿極,進(jìn)一步增強(qiáng)離子信號。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及質(zhì)譜儀技術(shù)領(lǐng)域,具體為新型離子阱柵網(wǎng)屏蔽離子檢測器系統(tǒng)。
背景技術(shù)
質(zhì)譜儀作為現(xiàn)代分析儀器的代表,在醫(yī)學(xué)、化學(xué)、環(huán)境生物分析等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,質(zhì)譜儀主要是利用離子源將待檢測的中性樣品電離,進(jìn)而利用電磁場分析樣品離子質(zhì)荷比的工具。質(zhì)譜儀作為現(xiàn)代分析儀器的代表,在醫(yī)學(xué)、化學(xué)、環(huán)境生物分析等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,質(zhì)譜儀由真空系統(tǒng)、離子源系統(tǒng)、質(zhì)量分析器系統(tǒng)組成,檢測器系統(tǒng)作為將質(zhì)譜電離離子檢測放大單元,對質(zhì)譜儀性能影響重大。
現(xiàn)有離子阱檢測器,要么不加屏蔽罩,要么采用帶2-10mm狹縫屏蔽罩。不加屏蔽罩,離子阱射頻會對檢測器產(chǎn)生干擾,增加本底噪音;采用帶2-10mm狹縫屏蔽罩結(jié)構(gòu),由于狹縫的阻擋,會影響離子進(jìn)入檢測器,進(jìn)而影響檢測靈敏度。
基于此,本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了新型離子阱柵網(wǎng)屏蔽離子檢測器系統(tǒng),在不影響離子進(jìn)入檢測器的情況下,增加一柵網(wǎng)屏蔽系統(tǒng),同時(shí)增加一打拿極結(jié)構(gòu),進(jìn)一步增強(qiáng)檢測靈敏度。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供新型離子阱柵網(wǎng)屏蔽離子檢測器系統(tǒng),以解決上述提到的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:新型離子阱柵網(wǎng)屏蔽離子檢測器系統(tǒng),包括屏蔽罩、打拿極固定座、打拿極、電子倍增器、倍增器固定座和信號接收極,所述打拿極固定座固定于所述屏蔽罩的內(nèi)腔底部,所述打拿極固定于所述打拿極固定座的頂部,所述倍增器固定座固定于所述屏蔽罩的內(nèi)腔頂部,所述電子倍增器固定于所述倍增器固定座的底部,所述打拿極位于所述電子倍增器的正上方,所述屏蔽罩的外部設(shè)有柵網(wǎng)層。
優(yōu)選的,所述屏蔽罩采用金屬材質(zhì)。
優(yōu)選的,所述柵網(wǎng)層作為檢測器離子入口,采用金屬柵網(wǎng)或者帶圓孔的金屬層。
優(yōu)選的,所述打拿極固定座采用PEEK絕緣材質(zhì)。
優(yōu)選的,所述打拿極為一圓環(huán)電極,中間設(shè)有電子激發(fā)面。
優(yōu)選的,所述電子倍增器的中間設(shè)有電子打擊面,所述電子打擊面與電子激發(fā)面相對設(shè)置。
優(yōu)選的,所述倍增器固定座采用PEEK絕緣材質(zhì)。
優(yōu)選的,所述信號接收極外接有采集電學(xué)信號并上傳的采集卡。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采用柵網(wǎng)屏蔽層來代替?zhèn)鹘y(tǒng)2-10mm狹縫,保持屏蔽效果的同時(shí),大大增強(qiáng)了離子通過率;采用打拿極和倍增器結(jié)構(gòu),利用打拿極,進(jìn)一步增強(qiáng)離子信號。
附圖說明
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型屏蔽罩結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本實(shí)用新型打拿極固定座結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本實(shí)用新型打拿極結(jié)構(gòu)示意圖;
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