[實用新型]修復電路和存儲器

有效

• 申請號: 202022350793.3
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN212516572U
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 張良
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 紀婷婧

本申請實施例涉及一種修復電路和存儲器，修復電路包括：多個冗余存儲單元，每個冗余存儲單元配置有一狀態信號；修復模塊，分別與多個冗余存儲單元連接，用于根據多個狀態信號，從多個冗余存儲單元中確定出目標存儲單元，并通過目標存儲單元對缺陷存儲單元進行修復；其中，目標存儲單元與缺陷存儲單元一一對應，修復模塊能夠在多個修復階段分別對不同的缺陷存儲單元進行修復，且多個修復階段共用多個冗余存儲單元。通過響應于冗余存儲單元的狀態信號，選擇目標存儲單元，并在多個修復階段共用冗余存儲單元，提高了對缺陷存儲單元的修復率和修復靈活性，即，提供了一種修復靈活性和可靠性更高的修復電路。

技術領域

本申請實施例涉及半導體器件技術領域，特別是涉及一種修復電路和存儲器。

背景技術

半導體存儲器是一種利用半導體電路進行存取的存儲器，因其快速的存儲速度和高集成度被廣泛應用于各個領域。為了獲得更高的靈活性和可靠性，通常會在存儲器中設置一定數量的冗余存儲單元，以在正常存儲單元發生損壞時作為替代。但是，隨著正常存儲單元的數量不斷增加，現有的冗余存儲單元的數量已無法滿足存儲器的修復需求，導致缺陷存儲單元的修復率不足。

實用新型內容

基于此，有必要針對缺陷存儲單元的修復率不足的問題，提供一種修復電路和存儲器。

一種修復電路，包括：

多個冗余存儲單元，每個所述冗余存儲單元配置有一狀態信號；

修復模塊，分別與所述多個冗余存儲單元連接，用于根據多個所述狀態信號，從多個所述冗余存儲單元中確定出目標存儲單元，并通過所述目標存儲單元對缺陷存儲單元進行修復；

其中，所述目標存儲單元與所述缺陷存儲單元一一對應，所述修復模塊能夠在多個修復階段分別對不同的所述缺陷存儲單元進行修復，且多個所述修復階段共用所述多個冗余存儲單元。

在其中一個實施例中，所述修復模塊包括：

選擇單元，用于根據多個所述狀態信號生成單元選擇信號；

存儲修復單元，分別與所述選擇單元和所述多個冗余存儲單元連接，用于接收所述單元選擇信號，根據所述單元選擇信號確定所述目標存儲單元，并通過所述目標存儲單元對所述缺陷存儲單元進行修復。

在其中一個實施例中，所述選擇單元用于根據預設修復次序和多個所述狀態信號生成所述單元選擇信號。

在其中一個實施例中，所述單元選擇信號包括多個使能信號，多個所述使能信號與多個所述冗余存儲單元一一對應，且在同一時刻多個所述使能信號中的至多一個使能有效；

所述選擇單元包括多個生成電路，每個所述生成電路用于對應生成一個所述使能信號；

其中，存儲修復單元用于確定使能有效的所述使能信號對應的所述冗余存儲單元作為所述目標存儲單元。

在其中一個實施例中，所述狀態信號攜帶對應的所述冗余存儲單元的占用信息，所述占用信息包括已占用和未占用，所述選擇單元包括第一生成電路，所述第一生成電路用于生成第一使能信號，定義位于第一修復次序的所述冗余存儲單元為第一冗余存儲單元；其中，

當所述第一冗余存儲單元為已占用時，所述第一使能信號為使能無效；當所述第一冗余存儲單元為未占用時，所述第一使能信號為使能有效。

在其中一個實施例中，定義位于第n修復次序的所述冗余存儲單元為第n冗余存儲單元，n為大于1的正整數，所述選擇單元還包括第n生成電路，所述第n生成電路用于生成第n使能信號；其中，

當修復次序位于所述第n冗余存儲單元前的全部冗余存儲修復單元中的至少一個為未占用時，所述第n使能信號為使能無效；當修復次序位于所述第n冗余存儲單元前的全部冗余存儲修復單元均為已占用，且所述第n冗余存儲單元未占用時，所述第n使能信號為使能有效。