[實用新型]一種靜電夾盤及其等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 202022343117.3
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN213546260U
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 黃國民;趙函一;吳狄;倪圖強
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 張妍;賈慧琴

1.一種靜電夾盤，包括一靜電吸附層和位于靜電吸附層下方的基座，其特征在于，所述靜電吸附層為陶瓷材料，所述基座包括靠近所述靜電吸附層的第一金屬層和位于第一金屬層下方的第二金屬層，所述第一金屬層的熱膨脹系數大于所述靜電吸附層的熱膨脹系數，小于等于所述第二金屬層的熱膨脹系數，所述第一金屬層的熱膨脹系數小于15×10^-6/K。

2.如權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述基座還包括第三金屬層，設置于所述第二金屬層下方，所述第三金屬層的熱膨脹系數大于或等于第二金屬層的熱膨脹系數。

3.如權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述第一金屬層的熱膨脹系數小于等于靜電吸附層熱膨脹系數的1.3倍。

4.如權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述靜電夾盤的工作環境溫度為50℃至-180℃。

5.如權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述靜電夾盤的工作環境溫度為0℃至300℃。

6.如權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層的側壁表面涂覆陶瓷涂層。

7.如權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述基座內部設置有冷卻通道，所述冷卻通道位于所述第一金屬層內或第二金屬層內或第一金屬層與第二金屬層之間。

8.如權利要求7所述的靜電夾盤，其特征在于，所述冷卻通道內設置鰭式結構，所述鰭式結構為所述第一金屬層和/或所述第二金屬層向所述冷卻通道內延伸的凸起，所述凸起用于增大基座與冷卻液的接觸面積，進而增大所述基座的熱傳導。

9.如權利要求8所述的靜電夾盤，其特征在于，每條冷卻通道內部的所述鰭式結構的個數至少為一個。

10.如權利要求8所述的靜電夾盤，其特征在于，所述鰭式結構設置于所述冷卻通道的底部。

11.如權利要求8所述的靜電夾盤，其特征在于，所述鰭式結構設置于所述冷卻通道的頂端。

12.如權利要求8所述的靜電夾盤，其特征在于，所述鰭式結構的橫截面為矩形。

13.如權利要求8所述的靜電夾盤，其特征在于，所述鰭式結構的橫截面為波紋狀。

14.如權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述靜電吸附層和所述基座之間通過粘結層粘合在一起。

15.一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置包括如權利要求1-14項中任意一項所述的靜電夾盤。