[實用新型]CMOS開關(guān)觸發(fā)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022307085.1 | 申請日： | 2020-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN214228518U | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 徐濤;鄭展;付文 | 申請（專利權(quán)）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H05B47/11 | 分類號： | H05B47/11;H03K17/687 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cmos 開關(guān) 觸發(fā) 電路 | ||
1.一種CMOS開關(guān)觸發(fā)電路，其特征在于，包括：
光感應單元，所述光感應單元包括光電二極管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、電容及電壓處理模塊，所述光感應單元用于感應光信號并將感應的光信號轉(zhuǎn)換為電信號輸出；
控制開關(guān)，與所述光感應單元的電信號輸出端連接，根據(jù)所輸出的電信號觸發(fā)后續(xù)電路的斷開或閉合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS開關(guān)觸發(fā)電路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管及第三MOS管均為NMOS晶體管，所述第一MOS管的源極與所述光電二極管連接，漏極與所述電容的第一端連接，柵極與第一信號輸入端連接，所述第一信號輸入端控制所述第一MOS管柵極的開關(guān)；所述電容的第二端接地；所述第二MOS管的源極與所述電容的第一端連接，漏極與控制電壓輸入端連接，柵極與第二信號輸入端連接；所述第三MOS管的柵極與所述電容的第一端連接，漏極與電源電壓輸入端連接，源極與電壓處理模塊連接；所述電壓處理模塊獲得不同時刻第三MOS管的源極輸出電壓，并計算得到不同時刻的電壓差。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CMOS開關(guān)觸發(fā)電路，其特征在于，所述電容為浮置擴散電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CMOS開關(guān)觸發(fā)電路，其特征在于，所述第三MOS管為源跟隨晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CMOS開關(guān)觸發(fā)電路，其特征在于，所述控制開關(guān)設置有多個檔位，根據(jù)所述電壓處理模塊輸出的電壓差觸發(fā)相應檔位，實現(xiàn)開關(guān)的多級控制或無級連續(xù)控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS開關(guān)觸發(fā)電路，其特征在于，所述電路應用于路燈的控制，根據(jù)白天或者夜晚是否有光線，觸發(fā)路燈開關(guān)的自動閉合或者斷開，從而實現(xiàn)路燈的自動控制。
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