[實(shí)用新型]一種基于MOS管控制IGBT的保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022295764.1
• 申請(qǐng)日: 2020-10-15
• 公開（公告）號(hào): CN213846641U
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雨龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 施耐德萬高(天津)電氣設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/08
• 分類號(hào): H03K17/08;H03K17/567
• 代理公司: 天津?yàn)I海科緯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211
• 代理人: 劉瑩

1.一種基于MOS管控制IGBT的保護(hù)電路，包括用于導(dǎo)通或關(guān)閉IGBT的雙層控制電路，其特征在于：所述雙層控制電路第一控制子電路、第二控制子電路；

所述第一控制子電路包括MOS管Q6、以及用于控制MOS管Q6導(dǎo)通或關(guān)閉的第一控制線路；

所述第二控制子電路包括光耦U2、以及與光耦U2連接的第二控制線路；

電源的輸出端與第一控制線路的一端連接，第一控制線路的另一端與MOS管Q6的柵極端連接，所述MOS管Q6的漏極端連接光耦U2的陰極端，所述光耦U2的集電極連接第二控制線路的一端，第二控制線路的另一端連接IGBT的輸入端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于MOS管控制IGBT的保護(hù)電路，其特征在于：所述第一控制線路包括第二電容C6、限流電阻R12，所述第二電容C6一端連接電源端，第二電容C6的另一端連接限流電阻R12一端，限流電阻R12一端連接MOS管Q6的柵極端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于MOS管控制IGBT的保護(hù)電路，其特征在于：所述第二控制線路包括第一電容C4、第一電阻R7，所述第一電容C4一端連接光耦U2的發(fā)射極，第一電路容的另一端連接光耦U2的集電極，第一電阻R7的一端連接光耦U2的集電極，所述第一電阻R7的另一端連接12V電源，所述第一電容C4另一端與第一電阻R7的一端分別與光耦U2的集電極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于MOS管控制IGBT的保護(hù)電路，其特征在于：所述電源端與第二電容C6之間連接有第一保護(hù)子電路，所述第一保護(hù)子電路包括第一上下拉電阻R9、第二電阻R8，所述第一上下拉電阻R9 一端連接在電源端與第二電容C6之間的線路上，第一上下拉電阻R9另一端與第二電阻R8的一端連接，所述第二電阻R8的另一端與光耦U2的陰極連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于MOS管控制IGBT的保護(hù)電路，其特征在于：所述第二電容C6與限流電阻R12之間連接有第二保護(hù)子電路，所述第二保護(hù)子電路包括第二上下拉電阻R10、第三上下拉電阻R15、第三電容C8，所述第二上下拉電阻R10一端連接在第二電容C6與限流電阻R12之間的線路上，第二上下拉電阻R10的另一端連接有3.3V的電源，第三上下拉電阻R15一端與第二上下拉電阻R10一端連接，第三上下拉電阻R15的另一端連接MOS管Q6的源極端，所述MOS管Q6的源極端接地，所述第三電容C8一端連接在第三上下拉電阻R15與MOS管Q6元極端的線路上，另一端連接在限流電阻R12與MOS管Q6柵極端的電路上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于MOS管控制IGBT的保護(hù)電路，其特征在于：所述光耦U2集電極一端連接IGBT的柵極，所述第一電容C4的一端連接IGBT的柵極，第一電容C4的另一端連接IGBT的發(fā)射極，IGBT的發(fā)射極一端接地，所述IGBT的集電極一端連接負(fù)載一端，負(fù)載另一端連接VCC2電源。