[實用新型]一種交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022285692.2
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN212934662U
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李洪偉
• 申請（專利權(quán)）人: 遵義師范學院
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02
• 代理公司: 北京棧橋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11670
• 代理人: 余柯薇

1.一種交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括柔性襯底層(1)，設(shè)在所述柔性襯底層(1)上的緩沖層(2)，設(shè)在所述緩沖層(2)上的鐵磁層(3)，設(shè)在所述鐵磁層(3)上的插入層(4)，設(shè)在所述插入層(4)上的第一隧道結(jié)層，設(shè)在所述第一隧道結(jié)層上面的第二隧道結(jié)層，設(shè)在所述第二隧道結(jié)層上的覆蓋層(12)和設(shè)在所述覆蓋層(12)上的保護層(13)，且所述第一隧道結(jié)層與所述第二隧道結(jié)層之間設(shè)有MOF材料層(8)。

2.如權(quán)利要求1所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一隧道結(jié)層包括緊貼所述插入層(4)的第一反鐵磁層(5)和緊貼所述MOF材料層(8)的第二反鐵磁層(7)以及位于所述第一反鐵磁層(5)與所述第二反鐵磁層(7)之間的第一勢壘層(6)。

3.如權(quán)利要求1所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第二隧道結(jié)層包括緊貼所述MOF材料層(8)的第三反鐵磁層(9)和緊貼所述覆蓋層(12)的第四反鐵磁層(11)以及位于所述第三反鐵磁層(9)與所述第四反鐵磁層(11)之間的第二勢壘層(10)。

4.如權(quán)利要求1所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一隧道結(jié)層的厚度＞所述第二隧道結(jié)層的厚度。

5.如權(quán)利要求1或4所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一隧道結(jié)層包括緊貼所述插入層(4)的第一反鐵磁層(5)和緊貼所述MOF材料層(8)的第二反鐵磁層(7)以及位于所述第一反鐵磁層(5)與所述第二反鐵磁層(7)之間的第一勢壘層(6)；所述的第二隧道結(jié)層包括緊貼所述MOF材料層(8)的第三反鐵磁層(9)和緊貼所述覆蓋層(12)的第四反鐵磁層(11)以及位于所述第三反鐵磁層(9)與所述第四反鐵磁層(11)之間的第二勢壘層(10)；且所述第一勢壘層(6)的厚度＜所述第二勢壘層(10)的厚度。

6.如權(quán)利要求5所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的MOF材料層(8)的厚度＜所述第一勢壘層(6)的厚度。

7.如權(quán)利要求1所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的柔性襯底層(1)具有各向異性熱膨脹系數(shù)與壓電效應(yīng)；所述緩沖層(2)是在所述柔性襯底層(1)表面設(shè)置的金屬緩沖層；所述鐵磁層(3)具有磁致伸縮效應(yīng)。

8.如權(quán)利要求7所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬緩沖層材料是Cu；所述鐵磁層為Co/Ni交替多層。

9.如權(quán)利要求1所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的覆蓋層(12)是厚度為0.5nm-10nm的Ta/W復(fù)合層，且所述Ta/W復(fù)合層是Ta和W交替復(fù)合而成。

10.如權(quán)利要求1所述的交換偏置場可調(diào)控的存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的保護層(13)是厚度為0.5nm-10nm的SiO₂/Ru復(fù)合層，且所述SiO₂/Ru復(fù)合層是SiO₂和Ru交替復(fù)合而成。