[實(shí)用新型]MEMS芯片、麥克風(fēng)和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022281123.0
• 申請(qǐng)日: 2020-10-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN212851006U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛德寬;王景雪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾微電子有限公司
• 主分類號(hào): H04R19/04
• 分類號(hào): H04R19/04
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 張毅

1.一種MEMS芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底設(shè)有背腔；

電容系統(tǒng)，所述電容系統(tǒng)設(shè)于背腔的一側(cè)，所述電容系統(tǒng)包括：

第一振膜，所述第一振膜覆蓋所述背腔設(shè)置；和

第一背極，所述第一背極與所述第一振膜間隔設(shè)置，并形成第一振動(dòng)間隙；以及

支撐件，所述支撐件位于所述第一振動(dòng)間隙內(nèi)，所述支撐件包括：

固定面，所述固定面連接于所述第一背極；

支撐面，所述支撐面相對(duì)所述固定面設(shè)置；

連接面，所述連接面連接所述支撐面和所述固定面；以及

連通部，所述連通部貫穿所述支撐面和所述連接面。

2.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述連通部包括貫穿槽，所述貫穿槽的槽口貫穿所述支撐面，所述貫穿槽的至少一端貫穿所述連接面。

3.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述連通部為通孔，所述通孔連通所述支撐面和所述連接面。

4.如權(quán)利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述連通部還包括避讓孔，所述避讓孔的一端貫穿所述貫穿槽的槽底壁；

或者，所述避讓孔的一端貫穿所述支撐面，所述貫穿槽貫穿所述避讓孔的孔壁。

5.如權(quán)利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于，所述貫穿槽的數(shù)量為至少兩個(gè)，至少兩所述貫穿槽沿所述避讓孔的周向間隔設(shè)置。

6.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撐件為柱狀設(shè)置；

或者，所述支撐件為球狀設(shè)置；

或者，所述支撐件為塊狀設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撐件的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述支撐件沿所述第一振動(dòng)間隙的寬度方向間隔設(shè)置。

8.如權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撐面的面積S1與所述連接面的面積S2的關(guān)系為：S1≤S2。

9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的MEMS芯片，其特征在于，所述電容系統(tǒng)還包括位于所述第一振膜和基底之間的第二背極，所述第二背極與所述第一振膜間隔設(shè)置并形成第二振動(dòng)間隙，所述第一振膜于所述第一振動(dòng)間隙和所述第二振動(dòng)間隙之間振動(dòng)；

所述支撐件的數(shù)量為至少兩個(gè)，其中的一所述支撐件位于第一振動(dòng)間隙，并連接于第一背極，其中的一所述支撐件位于所述第二振動(dòng)間隙內(nèi)，并連接于所述第二背極。

10.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的MEMS芯片，其特征在于，所述電容系統(tǒng)包括位于所述第一背極背離所述第一振膜一側(cè)的第二振膜，所述第二振膜與所述第一背極間隔設(shè)置并形成第三振動(dòng)間隙，所述第一振膜于所述第一振動(dòng)間隙和所述第三振動(dòng)間隙之間振動(dòng)；

所述支撐件的數(shù)量為至少兩個(gè)，其中的一所述支撐件位于所述第一振動(dòng)間隙內(nèi)，并連接于所述第一背極，其中的一所述支撐件位于所述第三振動(dòng)間隙內(nèi)，并連接于所述第一背極背離第一間隙的一側(cè)。

11.一種麥克風(fēng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的MEMS芯片。

12.一種電子設(shè)備，其特征在于包括如權(quán)利要求11所述的麥克風(fēng)。