[實用新型]一種在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022273276.0
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN213651867U
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李帥;劉耀華;馮琳琳;秦莉
• 申請（專利權(quán)）人: 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
• 主分類號: C01B32/188
• 分類號: C01B32/188
• 代理公司: 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11716
• 代理人: 劉德順

1.一種在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

坩堝，所述坩堝的上方和下方均設(shè)置有電子束發(fā)射機(jī)構(gòu)，所述電子束發(fā)射機(jī)構(gòu)用于向坩堝發(fā)射電子束；

石墨板，所述石墨板設(shè)置在坩堝內(nèi)部，且沿坩堝的軸向延伸，所述石墨板上開設(shè)有多個安裝槽，所述安裝槽用于放置碳化硅襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述石墨板上沿安裝槽周圍設(shè)置有環(huán)形槽，所述環(huán)形槽側(cè)壁開設(shè)有與安裝槽連通的螺紋通孔，所述螺紋通孔處設(shè)置有螺釘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述安裝槽的尺寸略大于碳化硅襯底的尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述坩堝兩側(cè)的內(nèi)側(cè)壁上均設(shè)置有凹槽，所述石墨板兩側(cè)沿長度方向插入到凹槽內(nèi)部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述裝置還包括旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，所述坩堝設(shè)置在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上，所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動坩堝轉(zhuǎn)動。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括托盤、支架和動力輸出結(jié)構(gòu)，所述坩堝設(shè)置在托盤上，所述托盤的底部固定連接支架，支架的末端連接動力輸出結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述裝置還包括爐體，所述爐體內(nèi)部形成爐體腔室，所述爐體兩端設(shè)置有上蓋和下蓋；

所述坩堝設(shè)置在爐體腔室內(nèi)；

所述電子束發(fā)射機(jī)構(gòu)穿過上蓋和/或下蓋延伸至爐體腔室內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述上蓋設(shè)置有第一觀察窗，所述下蓋設(shè)置有第二觀察窗；

所述第一觀察窗和第二觀察窗處均設(shè)置有測溫裝置。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述爐體外周設(shè)置有加熱線圈，

所述下蓋設(shè)置有抽氣孔和惰性氣體進(jìn)氣孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在碳化硅襯底上外延生長石墨烯的裝置，其特征在于，所述電子束發(fā)射機(jī)構(gòu)為電子束加熱器，所述安裝槽的數(shù)量為2～6個。