[實(shí)用新型]太陽(yáng)能電池與電池片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202022265758.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN212848425U | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李兵;沈雯;劉娜;鄧偉偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司;阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
| 地址: | 215000 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 電池 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N太陽(yáng)能電池與電池片,所述太陽(yáng)能電池包括硅基底、設(shè)置在所述硅基底一側(cè)的金屬電極,所述金屬電極包括第一電極與第二電極,所述第一電極包括沿第一方向延伸的主柵及設(shè)置在所述主柵上的第一焊盤;所述第二電極包括第一副柵、連接至少兩條相鄰所述第一副柵且與所述第一焊盤相連接的第二副柵。本申請(qǐng)?zhí)?yáng)能電池與電池片針對(duì)采用不同導(dǎo)電漿料分步印刷得到的金屬電極進(jìn)行結(jié)構(gòu)改進(jìn),有效避免所述第二副柵與第一副柵連接位置出現(xiàn)斷柵與接觸不良,確保電池導(dǎo)電性能,提升良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種太陽(yáng)能電池與電池片。
背景技術(shù)
晶體硅太陽(yáng)能電池目前仍占據(jù)國(guó)內(nèi)外光伏市場(chǎng)的主要地位,其金屬化過(guò)程主要是將既定的導(dǎo)電漿料絲網(wǎng)印刷在電池表面,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)得到相應(yīng)的電極柵線。上述電極柵線通常包括用以收集表面電流的副柵及與匯流條相連接以將電流向外傳導(dǎo)的主柵,就P型硅基底或發(fā)射極而言,一般采用銀鋁漿作為金屬化漿料,以實(shí)現(xiàn)較好的接觸,降低接觸電阻率。但前述主柵若采用銀鋁漿,在進(jìn)行后續(xù)焊接過(guò)程中難以滿足焊接拉力要求,且在焊接過(guò)程中形成的氧化鋁也會(huì)影響焊接后的導(dǎo)電性能。
實(shí)際生產(chǎn)中通常采用分步印刷的方法制得主柵與副柵,主柵采用銀漿,副柵采用銀鋁漿。為減少金屬化過(guò)程對(duì)表面鈍化層的損傷,降低復(fù)合損失,所述主柵可采用非燒穿型的銀漿,但對(duì)印刷精度要求也更高,若主柵與副柵交疊位置接觸不好,會(huì)使得電池串阻變大,影響電池效率與產(chǎn)線良率。
鑒于此,有必要提供一種新的太陽(yáng)能電池與電池片。
實(shí)用新型內(nèi)容
本申請(qǐng)的目的在于提供一種太陽(yáng)能電池與電池片,電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)更為合理,保證電流傳輸性能,提高良率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池,包括硅基底、設(shè)置在所述硅基底一側(cè)的金屬電極,所述金屬電極包括第一電極與第二電極,所述第一電極包括沿第一方向延伸的主柵及設(shè)置在所述主柵上的第一焊盤;所述第二電極包括第一副柵、連接至少兩條相鄰所述第一副柵且與所述第一焊盤相連接的第二副柵。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述第二副柵沿所述第一方向延伸且設(shè)置呈兩兩一組,每一組所述第二副柵連接至同一所述第一焊盤且沿垂直于第一方向的第二方向相對(duì)設(shè)置。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一焊盤設(shè)置在所述主柵的末端。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一電極還包括設(shè)置在所述主柵上且與所述第一焊盤間隔設(shè)置的第二焊盤,所述第二焊盤小于第一焊盤。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述第二副柵連接至所述第一焊盤的一端形成有導(dǎo)電盤,至少部分所述導(dǎo)電盤位于所述硅基底與第一焊盤之間。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一副柵包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的主體部、自所述主體部延伸至所述第一電極或第二副柵的連接部,所述連接部包括至少兩條設(shè)置呈叉狀的子?xùn)啪€。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一副柵包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的主體部、自所述主體部延伸至所述第一電極或第二副柵的連接部,所述連接部的寬度沿背離所述主體部的方向設(shè)置呈逐漸增大。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一電極設(shè)置為銀電極;所述第二電極設(shè)置為銀鋁電極。
作為本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn),所述太陽(yáng)能電池還包括設(shè)置在所述硅基底表面的鈍化層,所述第一電極位于所述鈍化層背離硅基底的一側(cè)并與所述硅基底相隔離;所述第二電極穿過(guò)所述鈍化層并與所述硅基底相接觸。
本申請(qǐng)還提供一種電池片,具有相鄰設(shè)置的兩個(gè)或多個(gè)電池區(qū)域,至少其一所述電池區(qū)域可經(jīng)分割得到如前所述的太陽(yáng)能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





