[實用新型]晶體生長裝置的控制系統和晶體生長裝置

有效

• 申請號: 202022252777.0
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN214060710U
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 陳翼;劉奇;黃末;馮參;馮厚坤
• 申請（專利權）人: 徐州鑫晶半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 歐陽高鳳

1.一種晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，所述晶體生長裝置(200)包括爐體(101)、坩堝(102)和冷卻套(103)，所述坩堝(102)設于所述爐體(101)內且限定出盛放空間，所述冷卻套(103)設于所述爐體(101)內且適于對晶體(201)進行冷卻，所述冷卻套(103)位于所述坩堝(102)的上方，且在垂直于所述坩堝(102)中心軸線(102a)的平面上，所述冷卻套(103)的正投影位于所述坩堝(102)的正投影的外輪廓內，其中，所述冷卻套(103)沿所述坩堝(102)的軸向可移動，

所述控制系統(100)包括：

量測裝置(1)，所述量測裝置(1)用于獲取所述晶體(201)等徑生長階段的直徑；

調節裝置(2)，所述調節裝置(2)用于驅動所述冷卻套(103)沿所述坩堝(102)的軸向移動；

控制裝置(3)，所述控制裝置(3)與所述量測裝置(1)和所述調節裝置(2)分別通信，且所述控制裝置(3)用于根據所述量測裝置(1)的反饋控制所述調節裝置(2)的狀態，其中所述調節裝置(2)具有第一狀態和第二狀態，在所述第一狀態下，所述調節裝置(2)用于驅動所述冷卻套(103)朝向遠離所述坩堝(102)的方向移動，在所述第二狀態下，所述調節裝置(2)用于驅動所述冷卻套(103)朝向靠近所述坩堝(102)的方向移動。

2.根據權利要求1所述的晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，所述調節裝置(2)還具有第三狀態，在所述第三狀態下，所述調節裝置(2)不動作。

3.根據權利要求1所述的晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，在所述第一狀態下，所述調節裝置(2)用于驅動所述冷卻套(103)朝向遠離所述坩堝(102)的方向移動第一距離h1，在所述第二狀態下，所述調節裝置(2)用于驅動所述冷卻套(103)朝向靠近所述坩堝(102)的方向移動第二距離h2，其中，h1滿足：4.5mm≤h1≤5.5mm，h2滿足：4.5mm≤h2≤5.5mm。

4.根據權利要求3所述的晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，h1＝5mm，h2＝5mm。

5.根據權利要求1所述的晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，所述量測裝置(1)包括CCD光電量測裝置(10)。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，所述調節裝置(2)包括：

滑軌，所述滑軌適于設在所述爐體(101)和所述冷卻套(103)中的其中一個上；

滑動件，所述滑動件適于設在所述爐體(101)和所述冷卻套(103)中的另一個上，且與所述滑軌配合以相對所述滑軌沿所述坩堝(102)的軸向移動；

驅動器，所述驅動器與所述控制裝置(3)通信，所述驅動器用于驅動所述滑軌和所述滑動件中的其中一個相對另一個移動。

7.根據權利要求6所述的晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，所述滑軌包括螺桿，所述滑動件形成為螺母，所述螺母與所述螺桿螺紋配合。

8.根據權利要求1-5中任一項所述的晶體生長裝置(200)的控制系統(100)，其特征在于，所述調節裝置(2)的長度可伸縮調節。