[實(shí)用新型]一種肖特基二極管倒晶結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022238003.2
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN212848417U
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張國俊
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫國電資通科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L23/367
• 代理公司: 無錫智麥知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32492
• 代理人: 劉詠華

1.一種肖特基二極管倒晶結(jié)構(gòu)，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的上表面貼合固定設(shè)置連接有襯底(2)，所述襯底(2)的上表面貼合固定連接有外延層(3)，所述外延層(3)的上表面貼合固定連接有頂板(4)，所述頂板(4)與外延層(3)之間設(shè)置有多個(gè)P型單晶硅(5)填充，所述基板(1)、襯底(2)、外延層(3)和頂板(4)的整體外側(cè)包置有封裝(7)，所述襯底(2)和外延層(3)的整體外側(cè)包置有陶瓷(8)，且陶瓷(8)貫穿至封裝(7)的外側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管倒晶結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板(1)和頂板(4)為金屬板結(jié)構(gòu)，所述基板(1)的上表面與襯底(2)的下表面充分貼合，所述頂板(4)的下表面中部位置與外延層(3)的上表面貼合，所述頂板(4)的下表面兩側(cè)與外延層(3)的上表面之間夾置有鈍化片(6)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管倒晶結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述外延層(3)的上表面固定設(shè)置有填充槽(10)，所述填充槽(10)在外延層(3)的上表面等距設(shè)置有多個(gè)，所述P型單晶硅(5)對應(yīng)填充在填充槽(10)的內(nèi)部，且P型單晶硅(5)的上表面所在面設(shè)置與外延層(3)的上表面所在面相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管倒晶結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述外延層(3)的兩側(cè)表面下部位置固定設(shè)置有嵌槽(9)，所述陶瓷(8)的內(nèi)側(cè)對應(yīng)嵌槽(9)設(shè)置有插板，且陶瓷(8)對應(yīng)通過插板插置在嵌槽(9)的內(nèi)部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管倒晶結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底(2)的兩側(cè)表面下部位置固定設(shè)置有另一個(gè)嵌槽(9)，所述陶瓷(8)的內(nèi)側(cè)對應(yīng)襯底(2)兩側(cè)的嵌槽(9)設(shè)置有插板，且陶瓷(8)對應(yīng)通過插板插置在襯底(2)兩側(cè)嵌槽(9)的內(nèi)部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管倒晶結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述陶瓷(8)的內(nèi)表面與襯底(2)和外延層(3)整體外表面相互貼合，且陶瓷(8)的外表面所在面設(shè)置與封裝(7)的外表面所在面相同。