[實用新型]一種多量子阱結構及發光二極管有效
| 申請號： | 202022230865.0 | 申請日： | 2020-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN213636023U | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 李家安;李政鴻;林兓兓;張家豪 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多量 結構 發光二極管 | ||
1.一種多量子阱結構，包括依次層疊的第一量子阱層、第二量子阱層和第三量子阱層，所述第三量子阱層由第三阱層和第三壘層交替層疊而成，其特征在于：所述第三壘層包括依次層疊的第一GaN子層、第一InGaN子層、第二InGaN子層、第三InGaN子層、第二GaN子層。
2.根據權利要求1所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述第二InGaN子層中In的含量大于第一InGaN子層中In的含量，并且，第二InGaN子層中In的含量大于第三InGaN子層中In的含量。
3.根據權利要求2所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述第一InGaN子層沿著生長方向，In含量逐漸增加至。
4.根據權利要求2所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述第三InGaN子層沿著生長方向，In含量由逐漸降低至。
5.根據權利要求1所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述第一量子阱層由第一阱層和第一壘層交替層疊而成，所述第一阱層為InGaN層，第一壘層為含Al的材料層。
6.根據權利要求1所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述第二量子阱層由第二阱層和第二壘層交替層疊而成，所述第二阱層為InGaN層，第二壘層為GaN層。
7.一種發光二極管，至少包括：襯底，以及依次層疊在襯底之上的緩沖層、N型半導體層、多量子阱層、電子阻擋層、P型半導體層和接觸層，以及分別與N型半導體層和P型半導體層連接的N電極和P電極，其特征在于：所述多量子阱層為權利要求1~6中的所述的任意一種。
8.根據權利要求7所述的一種發光二極管，所述電子阻擋層包括AlGaN層和AlInGaN層交替層疊的多層結構。
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