[實(shí)用新型]一種具有可變圖形發(fā)光二極管和反射式瞄準(zhǔn)鏡有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022227487.0 | 申請日: | 2020-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN213878134U | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳向龍;閆寶華;彭璐;王成新;徐現(xiàn)剛 | 申請(專利權(quán))人: | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38;H01L33/08;H01L33/44;H01L33/00;F41G1/14 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 王素平 |
| 地址: | 261061 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 可變 圖形 發(fā)光二極管 反射 瞄準(zhǔn) | ||
1.一種具有可變圖形發(fā)光二極管,包括外延片,所述外延片上表面有透明導(dǎo)電層,其特征在于所述透明導(dǎo)電層上設(shè)有若干個(gè)發(fā)光區(qū)和刻蝕區(qū),每個(gè)所述發(fā)光區(qū)上對應(yīng)設(shè)置有P面電極,相鄰P面電極之間絕緣隔開;所述刻蝕區(qū)表面有絕緣層,所述外延片N面上有N面電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,所述發(fā)光區(qū)的數(shù)量為m個(gè),所述P面電極的數(shù)量為n個(gè),所述二極管可產(chǎn)生的發(fā)光圖形為q種,則:m=n,q=2n-1;m≥2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,所述發(fā)光區(qū)包括發(fā)光區(qū)A、發(fā)光區(qū)B,所述P面電極包括P面電極A、P面電極B;所述P面電極A控制發(fā)光區(qū)A發(fā)光,所述P面電極B控制發(fā)光區(qū)B發(fā)光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,所述發(fā)光區(qū)A的發(fā)光圖形為圓形或十字形,所述發(fā)光區(qū)B的發(fā)光圖形為圓環(huán)形,所述圓與圓環(huán)為同心圓關(guān)系,所述圓位于圓環(huán)內(nèi)或所述十字的交叉點(diǎn)位于圓環(huán)的圓心處。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,所述P面電極延伸至外延片N面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,所述P面電極通過貫穿的通孔延伸到外延片N面;所述通孔避開發(fā)光區(qū)或者貫穿發(fā)光區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,所述P面電極擴(kuò)展到所述發(fā)光區(qū)以外的刻蝕區(qū)絕緣層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,所述透明導(dǎo)電層厚度為
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的具有可變圖形發(fā)光二極管,其特征在于,外延片N面上的N面電極區(qū)域外、P面延伸電極下及通孔內(nèi)沉積有絕緣層。
10.一種反射式瞄準(zhǔn)鏡,包括以權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的具有可變圖形發(fā)光二極管為光源和反射鏡,不需要分劃板。
11.一種反射式瞄準(zhǔn)鏡,包括以權(quán)利要求4所述的具有可變圖形發(fā)光二極管為光源,導(dǎo)通發(fā)光二極管的P面電極A,則產(chǎn)生的發(fā)光圖形為圓點(diǎn);導(dǎo)通發(fā)光二極管P面電極B,則產(chǎn)生的發(fā)光圖形為圓環(huán);同時(shí)導(dǎo)通發(fā)光二極管P面電極A和P面電極B時(shí),發(fā)光圖形為圓點(diǎn)和圓環(huán)。
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