[實用新型]氧化亞硅的氣化沉積裝置

有效

• 申請號: 202022225348.4
• 申請日: 2020-10-08
• 公開（公告）號: CN214059925U
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 袁正秋;許曙光;禹方甜
• 申請（專利權）人: 孚林（常州）新材料科技有限公司
• 主分類號: C01B33/113
• 分類號: C01B33/113
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.氧化亞硅的氣化沉積裝置，包括真空室(1)、第—材料托盤(2)、第二材料托盤(3)、析出基體(4)、反應管(5)、加熱源(6)、軸(7)，反應管(5)位于真空室(1)內，加熱源(6)位于真空室(1)內，軸(7)的至少一部分位于反應管(5)內，第—材料托盤(2)、第二材料托盤(3)以及析出基體(4)分別安裝在軸(7)上，其特征在于，所述第—材料托盤(2)、第二材料托盤(3)分別呈弓形，第—材料托盤(2)和第二材料托盤(3)錯位安裝。

2.根據權利要求1所述氧化亞硅的氣化沉積裝置，其特征在于，還包括旋轉驅動機構，旋轉驅動機構與軸(7)連接。

3.根據權利要求2所述氧化亞硅的氣化沉積裝置，其特征在于，旋轉驅動機構包括電機(8)以及減速器，電機(8)與減速器連接，減速器還與軸(7)連接。

4.根據權利要求1至3任意一項所述氧化亞硅的氣化沉積裝置，其特征在于，第—材料托盤(2)和第二材料托盤(3)錯開180°。

5.根據權利要求1至3任意一項所述氧化亞硅的氣化沉積裝置，其特征在于，所述弓形為優弧弓或半圓弓。