[實用新型]一種紅外探測器材料的像元臺面有效
| 申請號: | 202022204756.1 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN215070007U | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發明(設計)人: | 鄧功榮;楊文運;李德香;唐遙;張偉偉;杜潤來;黎秉哲;趙鵬;黃暉 | 申請(專利權)人: | 昆明物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/109 | 分類號: | H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人: | 周蜜 |
| 地址: | 650223 *** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 紅外探測器 材料 臺面 | ||
1.一種紅外探測器材料的像元臺面,其特征在于:所述紅外探測器材料結構為PBn和nBn型InAsSb紅外探測器材料結構;所述紅外探測器材料結構從上向下依次為頂電極接觸層(1)、勢壘層(2)、吸收層(3)、底電極接觸層(4)、緩沖層(5)以及襯底(6);
頂電極接觸層(1)和勢壘層(2)上部構成像元臺面,像元臺面的尺寸為15μm×15μm~30μm×30μm,高度為320nm~380nm。
2.根據權利要求1所述的一種紅外探測器材料的像元臺面,其特征在于:
所述頂電極接觸層(1)的厚度為300nm;
所述勢壘層(2)的厚度為100nm~200nm;
所述吸收層(3)的厚度為2000nm~3000nm;
所述底電極接觸層(4)的厚度為200nm~500nm;
所述緩沖層(5)的厚度為50nm~200nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





