[實用新型]一種減少臨時鍵合過程氣泡形成的鍵合結構

有效

• 申請號: 202022203803.0
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN212303631U
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 潘遠杰;周祖源;薛興濤
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/3105
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種鍵合結構，其特征在于：結構至少包括：

焊盤結構，包括襯底、位于所述襯底中的金屬填充的TSV深孔、位于所述襯底表面的重布線介質層、以及位于所述重布線介質層上的金屬電極，所述重布線介質層表面經過等離子處理而具有粗化結構；

膠層，形成于所述重布線介質層上；

基板，貼附與所述膠層上。

2.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于：所述襯底為切去邊角的襯底。

3.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于：所述金屬填充包括銅、金、銀填充中的一種；所述金屬電極為銅-鎳-金三層金屬電極，所述重布線介質層的材質包括PI、環氧樹脂、硅膠、BPO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一種。

4.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于：所述膠層包括PI膠、PVB膠、EVA膠中的一種，所述基板包括玻璃基板、金屬基板、半導體基板、聚合物基板、以及陶瓷基板中的一種。