[發明專利]一種背照射型的可見及短波紅外寬光譜InGaAs探測器

在審

• 申請號: 201811226485.0
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN109461788A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 何瑋;邵秀梅;李淘;曹高奇;于一榛;楊波;李雪;龔海梅
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 郭英

1.一種背照射型的可見及短波紅外寬光譜InGaAs探測器，包括n型InP接觸層(1)、InGaAs吸收層(2)、p型InP接觸層(3)、銦柱(4)、讀出電路(5)、絨面抗反膜(6)，其特征在于：

所述探測器的結構為：在p型InP接觸層(3)之上依次是InGaAs吸收層(2)、n型InP接觸層(1)和絨面抗反膜(6)，在p型InP接觸層(3)另一面上通過銦柱(4)聯有讀出電路(5)；

所述絨面抗反膜(6)由多層增透膜(6-1)和類納米錐結構(6-2)構成，多層增透膜(6-1)采用ZnS、Ta₂O₅、SiO₂或SiN_x，其折射率介于InP和空氣之間，層數為1～4層；類納米錐結構(6-2)采用金字塔、圓錐、三角錐、方錐、納米柱、三角柱或方柱亞波長結構；

所述n型InP接觸層(1)厚度為5～30nm；

所述InGaAs吸收層(2)厚度為2.5μm或3μm；

所述InGaAs探測器p型InP接觸層(1)厚度為1μm。