[實用新型]一種護罩噴鋁遮蔽治具

有效

• 申請號: 202022184054.1
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN213612129U
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 楊蘇圣
• 申請（專利權）人: 湖州科秉電子科技有限公司
• 主分類號: B05B12/20
• 分類號: B05B12/20
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 周孝林

本實用新型提供了一種外層防外層防護罩噴鋁遮蔽治具，包括治具本體，所述治具本體呈中空帽形結構，其包括上下依次同軸連接的外延部以及主體部，所述治具本體可匹配放置于外層防護罩內，且所述外延部和主體部分別對所述外層防護罩的頂面和內壁進行遮蔽；通過設計一種中空帽形結構的遮蔽治具，其與外層防護罩尺寸以及遮蔽面形狀對應匹配設置，并以“放”為設計重點，噴涂作業前只需將治具放置于外層防護罩內即可實現有效遮蔽，實現快速且正確地使用，且有效遮擋鋁原料噴濺到無需涂層的部分，解決了現有技術中存在的效率慢、偏差大且雜質殘留多的技術問題。

技術領域

本實用新型涉及涂層噴涂領域，具體涉及一種護罩噴鋁遮蔽治具。

背景技術

EnCore TaN機型屬于半導體制造其中一環，主要用于金屬物理氣象沈積(PVD)領域，廣泛用于28nm以下制程，因集成電路制造工藝需要，其中部件護罩需要進行表面處理，于特定部位制作鋁涂層。由于噴涂層是針對護罩上的部分使用面，而非使用面則無需噴涂，因此在噴涂作業前需對其非噴涂部分進行遮蔽。

申請號為CN201821174719.7的中國實用新型專利公開了半導體鎢化硅裝置覆蓋環部件洗凈噴砂專用保護治具，包括治具本體，所述治具本體為圓環狀結構，其結構包括外保護層和內保護層，所述外保護層和內保護層相連接，且外保護層高于內保護層；所述外保護層包括相連接的外覆蓋層和外環繞圈，所述內保護層包括相連接的中間層和內環繞圈，所述內環繞圈底部設置有內覆蓋層；所述外環繞圈與中間層連接；所述外環繞圈、中間層、內環繞圈之間圍成一定位凹槽，其中外環繞圈的最低平面低于中間層的最低平面。

然而現有傳統方法是使用遮蔽材料進行區隔，其有以下缺點：1.效率慢；2.偏差大；3、雜質殘留多。

實用新型內容

針對以上問題，本實用新型提供了一種外層防護罩噴鋁遮蔽治具，通過設計一種中空帽形結構的遮蔽治具，其與外層防護罩尺寸以及遮蔽面形狀對應匹配設置，并以“放”為設計重點，噴涂作業前只需將治具放置于外層防護罩內即可實現有效遮蔽，實現快速且正確地使用，且有效遮擋鋁原料噴濺到無需涂層的部分，解決了現有技術中存在的效率慢、偏差大且雜質殘留多的技術問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種外層防護罩噴鋁遮蔽治具，包括治具本體，所述治具本體呈中空帽形結構，其包括上下依次同軸連接的外延部以及主體部，所述治具本體可匹配放置于外層防護罩內，且所述外延部和主體部分別對所述外層防護罩的頂面和內壁進行遮蔽。

作為優選，所述外延部為環狀結構，所述主體部為中空筒狀結構，所述外延部與主體部的內徑相同。

作為優選，所述外層防護罩包括中空筒體、由所述中空筒體的軸向一端沿徑向向外延伸的外環部、由所述中空筒體的軸向另一端沿徑向向內延伸的內環部以及由所述內環部的延伸端沿軸向向上延伸的圓環部，所述圓環部的高度小于中空筒體的高度。

作為優選，所述中空筒體的內壁高于所述圓環部的部分為豎直遮蔽面，所述外環部的上表面為水平遮蔽面。

作為優選，所述主體部的外徑與所述中空筒體的內徑相匹配，所述主體部的外圓周面形成用于遮蔽所述豎直遮蔽面的豎直覆蓋面。

作為優選，所述外延部的外徑大于所述外環部的外徑，所述外延部的下環面形成用于遮蔽所述水平遮蔽面的水平覆蓋面。

作為優選，所述外延部與主體部為一體成型設置。

作為優選，所述治具本體采用白鋼材質。

作為優選，所述外延部的高度小于所述主體部的高度。

本實用新型的有益效果在于：