[實用新型]一種GOA電路、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 202022181710.2
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN212782681U
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 杜瑞芳;馬蘭州;錢海蛟;馬小葉
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G09G3/3266;G02F1/1345;H01L27/32
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

本實用新型公開了一種GOA電路、陣列基板和顯示裝置，所述GOA電路包括GOA區域，所述GOA區域包括多個相互級聯的GOA單元電路；引線區域，所述引線區域包含一端與至少一個所述GOA單元電路連接的STV信號線，以及一端與至少一個所述GOA單元電路連接的非STV信號線；所述STV信號線與所述非STV信號線的另一端與驅動芯片連接；所述STV信號線從所述驅動芯片延伸到所述引線區域中遠離所述GOA單元的區域并繞過所述非STV信號線延伸到所述GOA區域與所述至少一個所述GOA單元電路連接，繞過所述非STV信號線延伸到所述GOA區域的STV信號線與所述非STV信號線無交疊。本實用新型提供的實施例通過指定布線位置的STV信號線能夠有效提高GOA電路的防靜電性能，具有廣泛的應用前景。

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，特別是涉及一種GOA電路、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

位于陣列基板上的柵極驅動電路(Gate on Array，GOA)技術應用在顯示產品中，隨著產品尺寸的增大，信號線加長，在產品制程及制程測試中容易產生靜電釋放(Electra－Staticd ischarge，ESD)。特別是氧化物TFT產品，ESD發生率較a－SiTFT產品更高。

實用新型內容

為了解決上述問題至少之一，本實用新型提供一種GOA電路，包括：

GOA區域，所述GOA區域包括多個相互級聯的GOA單元電路；

引線區域，所述引線區域包含一端與至少一個所述GOA單元電路連接的STV信號線，以及一端與至少一個所述GOA單元電路連接的非STV信號線，所述非STV信號線至少包括Vdd信號線、Clk信號線、VGH信號線、VGL信號線中的一個；

所述STV信號線與所述非STV信號線的另一端與驅動芯片連接；

所述引線區域包含靠近所述GOA單元的區域和遠離所述GOA單元的區域，所述STV信號線從所述驅動芯片延伸到所述引線區域中的所述遠離所述GOA單元的區域并繞過所述非STV信號線延伸到所述GOA區域與所述至少一個所述GOA單元電路連接，繞過所述非STV信號線延伸到所述GOA區域的STV信號線與與所述非STV信號線無交疊。

在一些實施例中，GOA電路還包括與所述STV信號線不同層設置的靜電釋放電極，所述靜電釋放電極與所述STV信號線中的繞過所述非STV信號線延伸到所述GOA區域的部分存在交疊區域。

在一些實施例中，所述靜電釋放電極為蛇形線結構，并且所述蛇形線結構的靜電釋放電極的覆蓋區域的寬度不小于所述STV信號線的寬度。

在一些實施例中，GOA電路還包括與所述STV信號線間隔設置的輔助信號線；

所述輔助信號線配置為一端能夠與所述驅動芯片連接，從所述驅動芯片延伸并沿所述STV信號線繞過所述非STV信號線，使得所述輔助信號線與所述非STV信號線無交疊；

所述輔助信號線的另一端與所述靜電釋放電極電連接。

在一些實施例中，所述輔助信號線和所述STV信號線連接到所述驅動芯片的同一個信號輸出口。

在一些實施例中，

所述STV信號線與GOA電路中的晶體管的柵極層、或者源極和漏級層中的一個同層并同材料形成；

所述輔助信號線與GOA電路中的晶體管的柵極層、或者源極和漏級層中的一個同層并同材料形成；

所述靜電釋放電極與GOA電路中的晶體管的柵極層、或者源極和漏級層中不同于所述STV信號線的一個同層并同材料形成。

在一些實施例中，

所述STV信號線和輔助信號線同層設置，所述輔助信號線通過第一過孔與所述靜電釋放電極電連接；