[實用新型]一種垂直腔面發射激光器

有效

• 申請號: 202022155769.4
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN213093557U
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 張一;沈志強
• 申請（專利權）人: 深圳博升光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種垂直腔面發射激光器，其特征在于，包括：

第一反射層；

活性層，被配置為具備量子阱；以及

高對比度光柵層，被配置為與所述第一反射層形成諧振腔，所述活性層位于所述高對比度光柵層與所述第一反射層之間；

其中，沿所述第一反射層的中心區域指向所述第一反射層的外邊緣區域的方向，所述高對比度光柵層的折射率在二維方向上按預設規則變化，以對通過所述高對比度光柵層出射的激光進行整形。

2.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，沿所述第一反射層的中心區域指向所述第一反射層的外邊緣區域的方向，所述高對比度光柵層的折射率在二維方向上逐漸降低。

3.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，沿所述第一反射層的中心區域指向所述第一反射層的外邊緣區域的方向，所述高對比度光柵層的折射率在二維方向上逐漸增加。

4.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述高對比度光柵層由從所述活性層向上凸起的二維微柱陣列所形成；沿所述第一反射層的中心區域指向所述第一反射層的外邊緣區域的方向，所述二維微柱陣列的占空比在二維方向上基于所述預設規則變化。

5.根據權利要求4所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述二維微柱陣列的占空比為5～95％。

6.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，還包括第二反射層，所述第二反射層位于所述高對比度光柵層和所述活性層之間，所述第二反射層、所述高對比度光柵層和所述第一反射層共同形成所述諧振腔；

其中，所述第一反射層和所述第二反射層中的一者為N型反射器層，另一者為P型反射器層。

7.根據權利要求6所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，還包括位于所述高對比度光柵層與所述第二反射層之間的用于支撐所述高對比度光柵層的襯墊層。

8.根據權利要求6所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，還包括位于所述第一反射層和所述第二反射層上的連接電極。

9.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述活性層包括具有發光區域的有源層，所述有源層的至少一側形成有氧化層，所述氧化層具有氧化區域和用于限定激光出射窗口的非氧化區域；

其中，所述高對比度光柵層覆蓋所述激光出射窗口，所述高對比度光柵層的厚度為50～500nm。