[實(shí)用新型]一種芯片封裝體和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022149330.0
• 申請(qǐng)日: 2020-09-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN214313178U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 霍佳仁;宋關(guān)強(qiáng);江京;劉建輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 天芯互聯(lián)科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L23/495;H01L23/48;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種芯片封裝體和電子裝置，其中，該芯片封裝體包括：圖案化的金屬基材板，其中，金屬基材板中設(shè)置有第一通孔；芯片，設(shè)置在第一通孔中；第一絕緣層，覆蓋在芯片和金屬基材板上，并填充所述第一通孔，其中，第一絕緣層中設(shè)置有第二通孔以裸露出部分的金屬基材板和芯片；圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)置在第一絕緣層上和通孔內(nèi)，以使芯片藉由第一導(dǎo)電層而連接至金屬基材板。通過(guò)上述方式，本申請(qǐng)中的芯片封裝體能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的雙面散熱，且結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，電氣路徑和散熱路徑短，具有優(yōu)異的低阻特性和散熱效果，能夠?qū)崿F(xiàn)芯片封裝體的小型化和輕薄化。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種芯片封裝體及其制程方法和電子裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)隨著Mosfet(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管)、 IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊幾乎被應(yīng)用于所有的功率工業(yè)產(chǎn)品中，相應(yīng)的功率器件也朝著高性能、快速度、小體積及多芯片連接封裝的方向穩(wěn)步發(fā)展。

然而，傳統(tǒng)的wire bonding(半導(dǎo)體鍵合金線)及雙面銅互聯(lián)工藝及制程方法卻漸漸地難以滿足功率器件為實(shí)現(xiàn)高性能、快速度、小體積、多芯片連接封裝及模塊化的要求。功率半導(dǎo)體封裝工藝需要向更加優(yōu)異的PLFO(Pane level Fan out，片狀等級(jí)散出封裝技術(shù))工藝封裝方式的方向發(fā)展。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片封裝體和電子裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的芯片封裝體無(wú)法實(shí)現(xiàn)小型化、輕薄化以及優(yōu)異的電氣和散熱特性的技術(shù)效果的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種芯片封裝體，其中，該芯片封裝體包括：圖案化的金屬基材板，其中，金屬基材板中設(shè)置有第一通孔；芯片，設(shè)置在第一通孔中；第一絕緣層，覆蓋在芯片和金屬基材板上，并填充第一通孔，其中，第一絕緣層中設(shè)置有第二通孔以裸露出部分的金屬基材板和芯片；圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)置在第一絕緣層上和通孔內(nèi)，以使芯片藉由第一導(dǎo)電層而連接至金屬基材板。

其中，第一絕緣層與第一導(dǎo)電層重疊的部分之間還設(shè)置有圖案化的第二導(dǎo)電層，芯片藉由第一導(dǎo)電層連接至第二導(dǎo)電層和金屬基材板。

其中，芯片封裝體還包括有導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)電金屬層設(shè)置在金屬基材板遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層的一側(cè)表面以及芯片和第一絕緣層與之同水平面一側(cè)的表面上。

其中，芯片封裝體還包括有第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋在第一導(dǎo)電層和部分裸露的第一絕緣層上。

其中，第二絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)大于第一絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)。

其中，芯片的底面積小于第一通孔的底面積，且不與金屬基材板直接接觸。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的又一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種電子裝置，其中，該電子裝置包括如上任一項(xiàng)所述的芯片封裝體。

本申請(qǐng)的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本申請(qǐng)中的芯片封裝體包括：圖案化的金屬基材板，其中，金屬基材板中設(shè)置有第一通孔；芯片，設(shè)置在第一通孔中；第一絕緣層，覆蓋在芯片和金屬基材板上，并填充所述第一通孔，其中，第一絕緣層中設(shè)置有第二通孔以裸露出部分的金屬基材板和芯片；圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)置在第一絕緣層上和通孔內(nèi)，以使芯片藉由第一導(dǎo)電層而連接至金屬基材板。通過(guò)上述方式，本申請(qǐng)中的芯片封裝體能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的雙面散熱，且結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，電氣路徑和散熱路徑短，具有優(yōu)異的低阻特性和散熱效果，能夠?qū)崿F(xiàn)芯片封裝體的小型化和輕薄化。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，其中：